公开(公告)号：CN107251231A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680011373.6

申请日：2016-02-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 住友正清 ,  荻野诚裕 ,  加藤之启

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板(10)，具有漂移层(11)；上述漂移层上的基极层(12)和载流子积聚层(13)；集电极层(22)，形成在上述漂移层中的上述基极层侧的相反侧；多个沟槽(14)，将上述基极层及上述载流子积聚层贯通而到达上述漂移层；栅极电极(16)，形成在上述沟槽内的栅极绝缘膜上；发射极区域(17)，形成在上述基极层的表层部，与上述沟槽相接。上述栅极绝缘膜中，形成在上述沟槽中的比峰值位置更靠上述集电极层侧的侧面上的部分的至少一部的厚度大于形成在比上述峰值位置更靠上述沟槽的开口部侧的侧面上的部分的厚度，上述峰值位置是上述载流子积聚层的杂质浓度最高的位置。

公开(公告)号：CN104937720B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201380070729.X

申请日：2013-12-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  户松裕 ,  荻野诚裕 ,  大林友视

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 在半导体装置中，形成：第1导电型的第1半导体区域(15a)，与接触用沟槽(16)中的开口部侧的侧面接触，与第2半导体层(15)相比为高杂质浓度；第2导电型的第2半导体区域(11a)，与接触用沟槽(16)的底面及底面侧的侧面接触，与第1半导体层(11)相比为高杂质浓度。并且，将与第1半导体区域(15a)及第2半导体区域(11a)电连接的第1电极(18)配置到接触用沟槽(16)。即使通过使接触用沟槽的宽度变短而进行微细化，也能够抑制半导体装置在从开启状态变化为截止状态时被破坏。

公开(公告)号：CN107251231B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201680011373.6

申请日：2016-02-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 住友正清 ,  荻野诚裕 ,  加藤之启

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板(10)，具有漂移层(11)；上述漂移层上的基极层(12)和载流子积聚层(13)；集电极层(22)，形成在上述漂移层中的上述基极层侧的相反侧；多个沟槽(14)，将上述基极层及上述载流子积聚层贯通而到达上述漂移层；栅极电极(16)，形成在上述沟槽内的栅极绝缘膜上；发射极区域(17)，形成在上述基极层的表层部，与上述沟槽相接。上述栅极绝缘膜中，形成在上述沟槽中的比峰值位置更靠上述集电极层侧的侧面上的部分的至少一部的厚度大于形成在比上述峰值位置更靠上述沟槽的开口部侧的侧面上的部分的厚度，上述峰值位置是上述载流子积聚层的杂质浓度最高的位置。

公开(公告)号：CN104937720A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380070729.X

申请日：2013-12-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  户松裕 ,  荻野诚裕 ,  大林友视

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/4236

Abstract: 在半导体装置中，形成：第1导电型的第1半导体区域(15a)，与接触用沟槽(16)中的开口部侧的侧面接触，与第2半导体层(15)相比为高杂质浓度；第2导电型的第2半导体区域(11a)，与接触用沟槽(16)的底面及底面侧的侧面接触，与第1半导体层(11)相比为高杂质浓度。并且，将与第1半导体区域(15a)及第2半导体区域(11a)电连接的第1电极(18)配置到接触用沟槽(16)。即使通过使接触用沟槽的宽度变短而进行微细化，也能够抑制半导体装置在从开启状态变化为截止状态时被破坏。