公开(公告)号：CN104937720B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201380070729.X

申请日：2013-12-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  户松裕 ,  荻野诚裕 ,  大林友视

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 在半导体装置中，形成：第1导电型的第1半导体区域(15a)，与接触用沟槽(16)中的开口部侧的侧面接触，与第2半导体层(15)相比为高杂质浓度；第2导电型的第2半导体区域(11a)，与接触用沟槽(16)的底面及底面侧的侧面接触，与第1半导体层(11)相比为高杂质浓度。并且，将与第1半导体区域(15a)及第2半导体区域(11a)电连接的第1电极(18)配置到接触用沟槽(16)。即使通过使接触用沟槽的宽度变短而进行微细化，也能够抑制半导体装置在从开启状态变化为截止状态时被破坏。

公开(公告)号：CN104937720A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380070729.X

申请日：2013-12-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  户松裕 ,  荻野诚裕 ,  大林友视

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/4236

Abstract: 在半导体装置中，形成：第1导电型的第1半导体区域(15a)，与接触用沟槽(16)中的开口部侧的侧面接触，与第2半导体层(15)相比为高杂质浓度；第2导电型的第2半导体区域(11a)，与接触用沟槽(16)的底面及底面侧的侧面接触，与第1半导体层(11)相比为高杂质浓度。并且，将与第1半导体区域(15a)及第2半导体区域(11a)电连接的第1电极(18)配置到接触用沟槽(16)。即使通过使接触用沟槽的宽度变短而进行微细化，也能够抑制半导体装置在从开启状态变化为截止状态时被破坏。