公开(公告)号：CN101981636B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980110919.3

申请日：2009-02-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 国司多通夫 ,  齐藤顺一 ,  惠大辅 ,  上田佳功 ,  海沼泰明 ,  古林干弥 ,  大谷慎士

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/10

Abstract: 本发明提供一种静电电容大且等效串联电阻低的具备膜状电介体的电容器。该电容器具备由具有100mm2/mm3以上的比表面积的镀膜构成导电性基材(2)、以沿着导电性基材(2)的表面的方式形成的电介体膜(3)、和以隔着电介体膜(3)且与导电性基材(2)对置的方式形成的对置导电体(4)。构成导电性基材(2)的镀膜通过电解镀敷或无电解镀敷形成，其形态即是多孔质状、也可以是线状，还可以是椰菜状。

公开(公告)号：CN1210439C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02157445.6

申请日：2002-12-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 国司多通夫 ,  沼田外志 ,  齐藤顺一 ,  坂部行雄

IPC: C23C18/31 ,  B23K1/20

CPC classification number: H01G4/248 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  C23C18/54 ,  H01G2/065 ,  H05K3/246

Abstract: 为能廉价并且只在所希望的部位容易地生成所希望的镀膜，使平均直径为1mm并且电化学上浸渍电位低于Ni的析出电位的许多Zn片在镀浴中与上述被敷镀物体混合，Zn溶解而放出电子，使与Zn接触的Cu的电极电位往低的方向偏移，由此Ni析出到电极上，在电极表面生成Ni镀膜3。按照同样的方法把Zn浸渍在锡镀浴中，Zn溶解而放出电子，使与Zn接触的Ni镀膜3的电位往低的方向偏移，由此在Ni镀膜3上析出Sn而形成Sn镀膜4。

公开(公告)号：CN1268586A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN00102218.0

申请日：2000-02-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 齐藤顺一 ,  国司多通夫 ,  浜地幸生

IPC: C25D3/60

CPC classification number: C25D3/60

Abstract: 一种pH约为2.0—9.0的Sn－Bi镀浴,它包含Bi3+离子;Sn2+离子;配位剂(Ⅰ)和配位剂(Ⅱ)。配位剂(Ⅰ)可以是(a)有1—3个碳原子烷基的脂族二羧酸,(b)有1—3个碳原子烷基的脂族羟基单羧酸,(c)有1—4个碳原子烷基的脂族羟基多羧酸,(d)单糖类、通过部分氧化单糖制得的多羟基羧酸、及其环酯化合物,或(e)稠合磷酸。配位剂(Ⅱ)可以是(s)乙二胺四乙酸(EDTA),(t)氨三乙酸(NTA),或(u)反式－1,2－环己二胺四乙酸(CyDTA)。

公开(公告)号：CN116235281A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180054881.3

申请日：2021-09-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 齐藤顺一 ,  水白雅章

IPC: H01L21/288

Abstract: 布线基板(1)在基板(10)的至少一个主面(10a)配置有以Cu或者Ag为主要成分的电极(20)，在上述布线基板(1)中，上述电极(20)从上述基板(10)突出，上述电极(20)的表面由以晶质Ni为主要成分的第一Ni膜(30)覆盖，上述第一Ni膜(30)的表面由以非晶质Ni为主要成分的第二Ni膜(40)覆盖，上述第一Ni膜(30)覆盖上述电极(20)的侧面(20b)与上述基板(10)相接的第一角部(C1)。

公开(公告)号：CN116157914A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180054883.2

申请日：2021-09-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 齐藤顺一 ,  水白雅章

IPC: H01L23/28

Abstract: 模块(1)具备：基板(10)；部件(20、21)，其安装于上述基板(10)的至少一个主面(10a)；密封树脂(30)，其配置于上述基板(10)的表面，用以埋没上述部件(20、21)；以及屏蔽膜(40)，其覆盖上述密封树脂(30)的上表面(30a)和侧面(30b)并以Cu为主要成分，在上述模块(1)中，上述屏蔽膜(40)的表面由以Ni‑B或者Ni‑N为主要成分的第一Ni层(50)直接覆盖，上述第一Ni层(50)的表面由以Ni‑P为主要成分的第二Ni层(60)覆盖。

公开(公告)号：CN102290239A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110114209.7

申请日：2011-04-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 齐藤顺一 ,  小林敏彦 ,  小川诚 ,  元木章博 ,  川崎健一 ,  国司多通夫

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232

CPC classification number: H01G2/103 ,  B05D1/38 ,  B05D5/12 ,  B05D7/14 ,  H01G4/224

Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件(1)的元件主体(2)赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体(2)赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体(2)的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。

公开(公告)号：CN101981636A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980110919.3

申请日：2009-02-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 国司多通夫 ,  齐藤顺一 ,  惠大辅 ,  上田佳功 ,  海沼泰明 ,  古林干弥 ,  大谷慎士

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/10

Abstract: 本发明提供一种静电电容大且等效串联电阻低的具备膜状电介体的电容器。该电容器具备由具有100mm2/mm3以上的比表面积的镀膜构成导电性基材(2)、以沿着导电性基材(2)的表面的方式形成的电介体膜(3)、和以隔着电介体膜(3)且与导电性基材(2)对置的方式形成的对置导电体(4)。构成导电性基材(2)的镀膜通过电解镀敷或无电解镀敷形成，其形态即是多孔质状、也可以是线状，还可以是椰菜状。

公开(公告)号：CN1197993C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02157490.1

申请日：2002-12-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 国司多通夫 ,  沼田外志 ,  齐藤顺一 ,  坂部行雄

IPC: C23C18/31 ,  B23K1/20

CPC classification number: H05K3/244 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  C23C18/54

Abstract: 为能以低成本仅在所要求的部位形成所希望的镀膜，在加入了次磷酸钠(NaH2PO2)作为还原剂的含有Ni盐的镀浴中，将被敷镀物与对上述还原剂的氧化反应显现催化活性的平均粒径1mm的Ni片混合而进行自催化型无电敷镀，在由Cu、Ag或Ag-Pd形成的电极2上形成Ni-P镀膜3，然后在含Au盐的镀浴中浸渍该被敷镀物而进行置换型无电敷镀，在Ni-P镀膜3的表面形成Au镀膜。