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公开(公告)号：CN103077823B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310005688.8
申请日：2011-04-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/182 , H01C7/008 , H01F27/28 , H01F27/2804 , H01G4/008 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01L41/083 , H01L41/1876
Abstract: 本发明提供一种具有高可靠性的陶瓷电子部件，该陶瓷电子部件包括外部电极，该外部电极具有：在陶瓷基体之上形成的基底电极层、和在基底电极层之上形成的Cu镀膜。陶瓷电子部件(1)包括：陶瓷基体(10)、和外部电极(13、14)。外部电极(13、14)被形成在陶瓷基体(10)之上。外部电极(13、14)具有：基底电极层(15)、和第一Cu镀膜(16)。基底电极层(15)被形成在陶瓷基体(10)之上。第一Cu镀膜(16)被形成在基底电极层(15)之上。基底电极层(15)包括：能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料。在第一Cu镀膜(16)的至少基底电极层(15)侧的表层中扩散有能扩散进Cu中的金属。
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公开(公告)号：CN103762075A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310743848.9
申请日：2011-04-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/232
CPC classification number: H05K1/182 , H01C7/008 , H01F27/28 , H01F27/2804 , H01G4/008 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01L41/083 , H01L41/1876
Abstract: 本发明提供一种具有高可靠性的陶瓷电子部件，该陶瓷电子部件包括外部电极，该外部电极具有：在陶瓷基体之上形成的基底电极层、和在基底电极层之上形成的Cu镀膜。陶瓷电子部件(1)包括：陶瓷基体(10)、和外部电极(13、14)。外部电极(13、14)被形成在陶瓷基体(10)之上。外部电极(13、14)具有：基底电极层(15)、和第一Cu镀膜(16)。基底电极层(15)被形成在陶瓷基体(10)之上。第一Cu镀膜(16)被形成在基底电极层(15)之上。基底电极层(15)包括：能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料。在第一Cu镀膜(16)的至少基底电极层(15)侧的表层中扩散有能扩散进Cu中的金属。
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公开(公告)号：CN101128623B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200680006393.0
申请日：2006-02-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C25D5/54 , C25D3/30 , C25D11/34 , H01G4/005 , H01G4/1227 , H01G13/00 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902
Abstract: 一种陶瓷电子部件的制造方法，包括：准备使用含Ba的陶瓷而构成的电子部件形成体的工序；在所述电子部件形成体的外表面形成电极的工序，并且该电极具有通过电镀所形成的Sn镀膜，其特征在于，作为在形成所述Sn镀膜时所使用的镀浴，使用Sn离子浓度A为0.03～0.51摩尔/L、硫酸根离子浓度B为0.005～0.31摩尔/L、摩尔比B/A低于1、pH在6.1～10.5的范围内的镀浴。根据本发明，能够提供在Sn镀膜的形成之际，Ba从电子部件形成体的溶出难以发生，不仅由Sn镀膜造成的电子部件形成体彼此间的粘合难以发生，并且可钎焊性良好的陶瓷电子部件的制造方法。
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公开(公告)号：CN114854543A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210531906.0
申请日：2017-03-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种使用了能够使有核细胞的回收率提高的有核细胞的过滤用的过滤器的过滤方法、以及包含该过滤用的过滤器的试剂盒。本发明的过滤方法是有核细胞的过滤方法，包括：准备过滤器的步骤，所述过滤器以金属以及金属氧化物中的至少任一者为主成分，形成有正方形的贯通孔，所述过滤器的表面的算术平均粗糙度小于有核细胞的核的大小；以及使包含所述有核细胞的液体通过所述过滤器的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101937773B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010222682.2
申请日：2010-06-30
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/2325 , H01G4/30 , H01L41/083 , H01L41/293
Abstract: 本发明提供一种层叠型陶瓷电子部件。通过在以镍为主成分的多个内部电极的各端部露出的部件主体的端面施行镀铜，形成用于外部端子电极的镀层后，提高外部端子电极的紧固强度及耐湿性，因此在800℃以上的温度进行热处理时，在镀层侧有时产生间隙。对形成有镀层(10，11)的部件主体(2)在800℃以上的温度下进行热处理的工序中，不仅进行在1000℃以上的最高温度下进行保持的工序，而且在最高温度进行保持的工序之前，进行在比最高温度低的600～900℃的温度下至少保持一次的工序。由此，使镀层(10，11)的主成分即扩散速度比较高的铜预先扩散到以镍为主成分的内部电极(3，4)侧，减小成为空隙产生的原因的最高温度下的铜和镍的扩散速度的差。
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公开(公告)号：CN102290235A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110114220.3
申请日：2011-04-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/182 , H01C7/008 , H01F27/28 , H01F27/2804 , H01G4/008 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01L41/083 , H01L41/1876
Abstract: 本发明提供一种具有高可靠性的陶瓷电子部件，该陶瓷电子部件包括外部电极，该外部电极具有：在陶瓷基体之上形成的基底电极层、和在基底电极层之上形成的Cu镀膜。陶瓷电子部件(1)包括：陶瓷基体(10)、和外部电极(13、14)。外部电极(13、14)被形成在陶瓷基体(10)之上。外部电极(13、14)具有：基底电极层(15)、和第一Cu镀膜(16)。基底电极层(15)被形成在陶瓷基体(10)之上。第一Cu镀膜(16)被形成在基底电极层(15)之上。基底电极层(15)包括：能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料。在第一Cu镀膜(16)的至少基底电极层(15)侧的表层中扩散有能扩散进Cu中的金属。
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公开(公告)号：CN101937773A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010222682.2
申请日：2010-06-30
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/2325 , H01G4/30 , H01L41/083 , H01L41/293
Abstract: 本发明提供一种层叠型陶瓷电子部件。通过在以镍为主成分的多个内部电极的各端部露出的部件主体的端面施行镀铜，形成用于外部端子电极的镀层后，提高外部端子电极的紧固强度及耐湿性，因此在800℃以上的温度进行热处理时，在镀层侧有时产生间隙。对形成有镀层(10，11)的部件主体(2)在800℃以上的温度下进行热处理的工序中，不仅进行在1000℃以上的最高温度下进行保持的工序，而且在最高温度进行保持的工序之前，进行在比最高温度低的600～900℃的温度下至少保持一次的工序。由此，使镀层(10，11)的主成分即扩散速度比较高的铜预先扩散到以镍为主成分的内部电极(3，4)侧，减小成为空隙产生的原因的最高温度下的铜和镍的扩散速度的差。
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公开(公告)号：CN101826395A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910266383.6
申请日：2009-12-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法。在通过在部件主体的表面的特定的区域上直接实施镀覆从而形成外部电极的电子部件中，能够以良好的精度来控制构成外部电极的镀覆膜的形成区域。在部件主体(2)的划分应形成外部电极(3)的区域的位置处设置阶差(12)。由此，在镀覆工序中，在阶差(12)的部分实质上停止或延迟构成外部电极(3)的镀覆膜的生长。其结果，能够在阶差(12)的位置处高精度地控制构成外部电极(3)的镀覆膜的生长的终端点。
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公开(公告)号：CN101128623A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680006393.0
申请日：2006-02-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C25D5/54 , C25D3/30 , C25D11/34 , H01G4/005 , H01G4/1227 , H01G13/00 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902
Abstract: 一种陶瓷电子部件的制造方法，包括：准备使用含Ba的陶瓷而构成的电子部件形成体的工序；在所述电子部件形成体的外表面形成电极的工序，并且该电极具有通过电镀所形成的Sn镀膜，其特征在于，作为在形成所述Sn镀膜时所使用的镀浴，使用Sn离子浓度A为0.03～0.51摩尔/L、硫酸根离子浓度B为0.005～0.31摩尔/L、摩尔比B/A低于1、pH在6.1～10.5的范围内的镀浴。根据本发明，能够提供在Sn镀膜的形成之际，Ba从电子部件形成体的溶出难以发生，不仅由Sn镀膜造成的电子部件形成体彼此间的粘合难以发生，并且可钎焊性良好的陶瓷电子部件的制造方法。
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