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公开(公告)号：CN114424456A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080066319.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种即使在推进了小型化的情况下也能提高Q值且能调整谐振频率的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电体层(4)和第1电极(51)及第2电极(52)。第1电极(51)及第2电极(52)在与压电体层(4)的厚度方向(D1)交叉的方向(D2)上对置。弹性波装置(1)利用厚度剪切一阶模的体波。弹性波装置(1)具备第1谐振器及第2谐振器。第1谐振器及第2谐振器各自具有第1电极(51)及第2电极(52)、和压电体层(4)之中包含设置了第1电极(51)及第2电极(52)的设置区域的设置部位(400)。第1谐振器及第2谐振器各自的厚度是除去了该谐振器所包含的第1电极(51)及第2电极(52)的厚度之后的厚度。第1谐振器的厚度和第2谐振器的厚度不同。
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公开(公告)号：CN110114977A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780080765.2
申请日：2017-10-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 木村哲也
Abstract: 提供一种频带高的带通型滤波器的滤波器特性不易由于频带低的带通型滤波器的影响而劣化的多工器。多工器具备：公共端子；第1带通型滤波器，与公共端子连接，具有第1通带；和第2带通型滤波器，与公共端子连接，具有频率比第1通带高的第2通带，第1带通型滤波器具有弹性波装置(11)，弹性波装置(11)具备：支承基板(12)；压电体(13)，层叠在支承基板(12)上；和IDT电极(14)，设置在压电体(13)上，压电体(13)为铌酸锂，弹性波装置(11)利用了瑞利波。
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公开(公告)号：CN105993129A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201580008512.5
申请日：2015-02-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 木村哲也
CPC classification number: H03H9/14541 , H03H9/02228 , H03H9/02559 , H03H9/02834
Abstract: 提供IDT电极的Al换算波长标准化厚度比以往更厚、且温度特性良好、制造容易的弹性波装置。在LiTaO3基板(2)的主面(2a)设置IDT电极(3)，弹性波装置(1)利用SH波为主体的基本模式即SH0模式的板波。LiTaO3基板(2)的利用由IDT电极(3)的电极指间距决定的波长进行标准化而得的LiTaO3基板(2)的波长标准化厚度、和IDT电极(3)的Al换算波长标准化厚度满足下述表1所示的任意组合。[表1]
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公开(公告)号：CN102113214B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200980130108.X
申请日：2009-07-21
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02559 , H03H9/0222 , H03H9/02834 , H03H9/14541
Abstract: 本发明提供一种弹性波装置，其频率温度系数(TCF)小，插入损耗少，机电耦合系数大，而且可以增大电极指间距。弹性波装置(1)包括：压电体(10)、IDT电极(30)、和覆盖IDT电极(30)的电介质层(20)。电介质层(20)的频率温度系数的符号与压电体(10)相反或相同，频率温度系数的绝对值小于压电体(10)。IDT电极(30)的电极指(31a)、(31b)具有第1电极层(21)和第2电极层(22)。第1电极层(21)位于沟槽(10a)内部；第2电极层(22)位于沟槽(10a)上端面的上侧。第1电极层21的(ρ3×C44)1/2大于第2电极层(22)的(ρ3×C44)1/2。
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公开(公告)号：CN103329436A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280006034.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L41/047 , H03H9/02818 , H03H9/14541
Abstract: 本发明实现了一种具有优异特性且制造容易的弹性表面波装置。弹性表面波装置(10)具备由铌酸锂构成的压电基板(101)。在压电基板(101)的表面上配列形成有多个槽(110)。在各槽(110)中形成有由铜构成的IDT电极(102)。IDT电极(102)由被埋入槽(110)中的第一电极层(102i)与从压电基板(101)的表面突出的第二电极层(102o)构成。第一电极层(102i)的标准化电极膜厚Di在1.0％以上12.0％以下，第二电极层(102o)的标准化电极膜厚Do在1.0％以上9.0％以下。IDT电极(102)的整体的标准化电极膜厚D在6.0％以上13.0％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101523720B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780038043.7
申请日：2007-09-10
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H3/08 , H03H9/02559 , H03H9/02661 , H03H9/02834
Abstract: 本发明提供利用在LiNbO3或LiTaO3和电介体层的界面传输的弹性边界波，无论电极膜变薄与否，均利用SH型弹性边界波，形成为低损失的弹性边界波装置。弹性边界波装置1在LiNbO3基板1的上表面形成有多条槽1b，在这些槽1b中填充金属材料，形成包含IDT电极的电极膜3，SiO2膜之类的电介体层4以覆盖LiNbO3基板1的槽1b及电极膜3的方式形成，电介体层4的表面被平坦化，电极膜3的厚度、LiNbO3基板的欧拉角(0°，θ，-45°～+45°)的θ及电介体层4的厚度在下述表1所示的范围的任一个范围。[表1]电极厚度及电介体层厚度均为标准化膜厚H/λ(λ为弹性边界波的波长。)
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公开(公告)号：CN117223216A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280031248.7
申请日：2022-06-01
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/17
Abstract: 提供一种具有含有钪的氮化铝膜的弹性波装置，其中，不易产生膜的翘曲、剥落且不易产生压电特性的劣化。弹性波装置(1)具备含有钪的氮化铝膜(ScAlN膜)(3)和设置在ScAlN膜(3)上的电极，ScA1N膜(3)在将进行椭圆近似而求出的短径侧设为粒径，并对进行了面积加权平均的粒径计算出平均粒径时，在柱状生长的相邻的晶粒(11)与晶粒(12)之间、或者在晶体取向不同的晶粒(11)与晶粒(12)之间，具有包括全部晶粒的平均粒径的1/2以下的微小粒子(13a、13b)的微小粒子群，微小粒子群中的晶粒的个数为ScAlN膜(3)中的全体的晶粒的个数的50％以上。
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公开(公告)号：CN117083801A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280025235.9
申请日：2022-03-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 木村哲也
IPC: H03H9/25
Abstract: 提高设计自由度。弹性波装置具备：支承构件，其具备在第一方向上具有厚度的支承基板；压电层，其设置在支承构件的第一方向上；以及多个谐振器，其分别具有设置在压电层的第一方向上的功能电极。在支承构件，在沿第一方向俯视时与多个谐振器的功能电极的至少一部分重叠的位置设置有多个空间部，在支承构件，在沿第一方向俯视时与空间部不重叠的位置设置有与至少一个空间部连通的引出部，至少一个引出部与至少两个空间部连通，在压电层设置有贯通孔，该贯通孔贯穿在沿第一方向俯视时与引出部重叠的位置的压电层。
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公开(公告)号：CN115428329B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180029585.8
申请日：2021-04-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 目的：提供包括腔部但压电膜不易发生破裂的弹性波器件。解决方案：弹性波器件(1)包括由铌酸锂或钽酸锂制成的压电膜(2)，以及在与压电膜(2)的厚度方向相交的方向上彼此面对的第一电极指(3)和第二电极指(4)。当压电膜(2)的平均厚度为d，并且第一电极指(3)和第二电极指(4)的中心之间的距离为p时，d/p约为0.5或更小。第一电极指(3)和第二电极指(4)分别连接到第一母线(5)和第二母线(6)。第一母线(5)和第二母线(6)包括角部。当在俯视图中观察时，第一母线(5)和第二母线(6)的角部(5e)至(5h)和(6e)至(6h)中的至少一个角部在腔部(9)的外侧。
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公开(公告)号：CN116491069A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180071910.7
申请日：2021-11-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 木村哲也
IPC: H03H9/17
Abstract: 压电薄膜(1)具备压电元件(10)以及支承压电元件(10)的基板(4)。压电元件(10)包括压电薄膜(1)以及设置在隔着压电薄膜(1)而相互对置的位置的一对电极(第一电极(2)以及第二电极(3))。压电薄膜(1)构成为铝和钪各自的含有浓度在第一电极(2)侧比第二电极(3)侧高，并且氮的含有浓度在第一电极(2)侧比第二电极(3)侧低。
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