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公开(公告)号：CN114285384A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110951931.X
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在输入频率不同的两个信号的结构中，能够抑制频率所引起的放大率的下降的功率放大电路。功率放大电路具备：第1布线，被供给具有第1频率的第1信号；第2布线，被供给具有与所述第1频率不同的第2频率的第2信号；第1放大电路，对通过所述第1布线被供给的所述第1信号进行放大，将第1放大信号供给到所述第2布线；和第2放大电路，对通过所述第2布线被供给的信号进行放大，输出第2放大信号。
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公开(公告)号：CN107611175B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710089447.4
申请日：2017-02-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/36 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极‑发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域邻接设置且上表面露出的第二区域，对于发射极层的第一区域以及第二区域中的掺杂浓度而言，上表面附近比与基极层的界面附近高。
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公开(公告)号：CN107306118B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201710013890.3
申请日：2017-01-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 小屋茂树
Abstract: 本发明提供一种可根据动作模式来控制功率放大器的特性的功率放大模块。功率放大模块包括：放大器，其将放大输入信号后的放大信号输出；以及谐波终端电路，其被输入放大信号的谐波，根据谐波的频率来控制阻抗，功率放大模块可在电源电压根据规定时间中的放大信号的电压的平均值而变化的第一模式、或者电源电压根据输入信号的包络线的波形而变化的第二模式下进行动作，当在第一模式下进行动作时，控制谐波终端电路的阻抗，使得谐波中至少一个偶数次谐波短路，当在第二模式下进行动作时，控制谐波终端电路的阻抗，使得谐波中至少一个3次以上的奇数次谐波短路。
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公开(公告)号：CN111916494A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010376529.9
申请日：2020-05-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种能够增大迁移电压并扩大SOA的半导体装置。在基板上依次配置有集电极层、基极层、发射极层、以及发射极台面层。还配置有基极电极以及发射极电极。在俯视时，发射极台面层具有在第一方向上长的形状，基极电极包含与发射极台面层在第一方向上隔着间隔配置的基极电极焊盘部。在发射极电极以及基极电极上，分别配置有发射极布线以及基极布线。发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在第一方向上，发射极台面层的基极布线侧的边缘与发射极接触孔的基极布线侧的边缘的间隔比发射极台面层与基极布线的间隔窄。
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公开(公告)号：CN111725207A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010195743.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制与多个晶体管单元连接的集电极布线的寄生电感的增加的半导体装置以及放大器模块。设置有两个单元列，由相互平行地排列的多个晶体管单元构成，每个晶体管单元包括设置在基板上的集电极区域、基极区域以及发射极区域。多个集电极引出布线分别与多个晶体管单元的集电极区域连接，并在与多个晶体管单元的排列方向交叉的方向上引出。集电极汇总布线使多个集电极引出布线相互连接。在俯视时配置在两个单元列之间的集电极中间汇总布线使从属于两个单元列中的一个单元列的多个晶体管单元分别引出的多个集电极引出布线相互连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110459470A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910649263.8
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及双极型晶体管及其制造方法。同时实现双极型晶体管的集电极电阻的降低和基极-集电极间电容的降低。双极型晶体管(100)具备将集电极层(3)、基极层(4)以及发射极层(5)依次层叠于子集电极层(2)的构造。在子集电极层(2)形成有集电极电极(9)。在基极层(4)形成有基极电极(10)。集电极层(3)具备配置为从子集电极层侧朝向基极层侧杂质浓度减少的多个杂质层(31、32、33、34)。杂质层(31)是多个杂质层(31、32、33、34)中杂质浓度最大的杂质层，并且与子集电极层(2)接触。杂质层(31)的薄膜电阻是子集电极层(2)的薄膜电阻的9倍以下。
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公开(公告)号：CN110021595A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910018835.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明提供能够抑制发射极电阻的增大且具有适合于高输出动作的构成的半导体装置。多个单位晶体管在基板的表面沿第一方向排列地配置。与单位晶体管对应地配置输入电容元件。在单位晶体管的发射极层连接发射极共用布线。在与发射极共用布线重叠的位置设置从发射极共用布线到达至基板的背面的导通孔。在单位晶体管的集电极层连接集电极共用布线。多个输入电容元件、发射极共用布线、多个单位晶体管以及集电极共用布线按上述记载顺序沿第二方向排列地配置。将多个输入电容元件与对应的单位晶体管的基极层连接的基极布线与发射极共用布线不物理性接触地交叉。
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公开(公告)号：CN109994540A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811453223.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
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公开(公告)号：CN112104332B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010558348.8
申请日：2020-06-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21 , H03F3/68 , H03F3/19 , H03F1/30 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了能够提高散热特性的半导体元件和功率放大装置。半导体元件具有：半导体基板；第一放大器和第二放大器，被设置于半导体基板，在第一方向上相邻；第一基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，连接第一放大器和基准电位；第二基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，在第一方向上与第一基准电位凸块相邻，连接第二放大器和基准电位；以及矩形状凸块，被设置于半导体基板的主面，在俯视时，该矩形状凸块被设置于第一基准电位凸块与第二基准电位凸块之间，与第一方向正交的第二方向的第二宽度比第一方向的第一宽度大，矩形状凸块的第二宽度比第一基准电位凸块和第二基准电位凸块中的至少一方的第二方向的宽度大。
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公开(公告)号：CN111916494B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010376529.9
申请日：2020-05-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种能够增大迁移电压并扩大SOA的半导体装置。在基板上依次配置有集电极层、基极层、发射极层、以及发射极台面层。还配置有基极电极以及发射极电极。在俯视时，发射极台面层具有在第一方向上长的形状，基极电极包含与发射极台面层在第一方向上隔着间隔配置的基极电极焊盘部。在发射极电极以及基极电极上，分别配置有发射极布线以及基极布线。发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在第一方向上，发射极台面层的基极布线侧的边缘与发射极接触孔的基极布线侧的边缘的间隔比发射极台面层与基极布线的间隔窄。
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