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公开(公告)号:CN1224167C
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN01123322.2
申请日:2001-06-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0061 , H01L2224/05554 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2924/15174 , H01L2924/16195 , H03H9/0042 , H03H9/0057 , H03H9/0085 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/14588 , H03H9/6489
Abstract: 一种表面声波装置包括一压电衬底,设置在压电衬底上的至少一个IDT,以及连到IDT的一个输入端和一个输出端。输入端和输出端中的至少一个包括一对平衡信号端子,并且一条延迟线或一个电抗元件连到平衡信号端子对之一上。
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公开(公告)号:CN1466778A
公开(公告)日:2004-01-07
申请号:CN01807776.5
申请日:2001-12-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H03H9/059 , H01L24/81 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了一种电子部件(1),它含有电子元件(2)和安装电子元件(2)的基片(3),电子元件(2)和基片(3)通过至少三个块(4)彼此电气或机械地连接。将连接于电子元件(2)的块(4)的总连接面积除以电子元件(2)的质量所得的值,以及将连接于基片(3)的块(4)的总连接面积除以电子元件(2)的质量所得的值都至少为8.8mm2/g。
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公开(公告)号:CN1160308A
公开(公告)日:1997-09-24
申请号:CN96123473.3
申请日:1996-12-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 下江一伸
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6473 , H03H9/6436 , H03H9/6466
Abstract: 一种纵向耦合型SAW谐波滤波器,它包含:由压电材料制成的衬底;在衬底上形成的第一—第三组叉指形电极;沿着表面波传播方向形成于相对的两边的第一和第二反射器;第一—第三组叉指形电极中的每一个由一对梳状电极组成;第一组叉指形电极的电极指中心与第二组叉指形电极的电极指中心之间的中心距离L1和第二组叉指形电极的电极指中心与第三组叉指形电极的电极指中心之间的中心距离L2都设定为不同的数值。
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公开(公告)号:CN1134627A
公开(公告)日:1996-10-30
申请号:CN96101976.X
申请日:1996-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/72
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/6433
Abstract: 一种表面声波谐振腔滤波器,包括多个IDT,彼此紧挨地在36°Y截面X向传播式LiTaO3基片上设置;多个反射器,设置在所述多个IDT的两侧,IDT和反射器的各电极由或主要由铝构成的铝合金制成;SiO2薄膜形成得将IDT和反射器都覆盖住。电极厚度比T/λ和SiO2薄膜厚度比H/λ设定在2.6%≤T/λ≤4.8%,22%≤H/λ≤38%的范围内,其中T表示所述IDT各电极的厚度,H表示所述SiO2薄膜的厚度,λ表示表面声波的波长。
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