成膜装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102312207B

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201110177715.0

    申请日:2011-06-29

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置。在薄膜有机EL材料之上进行低损坏且高速的溅射成膜而不会使成膜装置大型化。将磁控管等离子体(20)封闭在可动式屏蔽电极(13)内,所述可动式屏蔽电极(13)在靶材料11侧为开口、在基板侧具有在关闭面内使溅射粒子通过的缝隙,使可动式屏蔽电极(13)和磁控管(17)同时扫描,以进行针对下层膜的损坏较少的成膜,之后,仅仅磁控管(17)扫描以进行利用磁控管等离子体的高速成膜。据此,就能够进行对下层膜损坏较少、且高速的成膜。

    场致发射电子源及其制造方法和使用该制造方法的电子束装置

    公开(公告)号:CN119137705A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202280095706.3

    申请日:2022-06-20

    Abstract: 提高将六硼化物单晶、过渡金属碳化物单晶的(100)面用作电子发射面的场致发射电子源的放射角电流密度相对于总电流的比率,提高电流稳定性。在构成电子源的 轴的六硼化物单晶或过渡金属碳化物单晶的针尖的前端形成由侧部小面包围的第一(100)面的顶部小面,并且在该第一(100)面的顶部小面的面内形成具有第二(100)面的顶部小面的微小晶体,主要从该第二(100)面的顶部小面发射电子,该侧部小面由n=1、2、3的整数的至少4面的{n11}面和至少4面的{n10}面构成,且{n11}面的侧部小面的合计面积>{n10}的侧部小面的合计面积。

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