原料气化供给装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103718275B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201280038133.7

    申请日:2012-06-11

    CPC classification number: C23C16/4485

    Abstract: 本发明通过能够将加热固体原料或液体原料而生成的原料蒸汽一边使用压力式流量控制装置进行流量控制一边向处理腔室稳定地供给,实现原料的气化供给装置的小型化和半导体产品的品质提高,并且能够容易地进行原料的剩余量管理。本发明的原料气化供给装置由以下部分构成:原料箱,储存原料;原料蒸汽供给路,从原料箱的内部空间部将原料蒸汽向处理腔室供给;压力式流量控制装置,夹设在该供给路中,控制向处理腔室供给的原料蒸汽流量;和恒温加热部,将上述原料箱、供给路和压力式流量控制装置加热到设定温度;将在原料箱的内部空间部中生成的原料蒸汽一边通过压力式流量控制装置进行流量控制一边向处理腔室供给。

    半导体制造装置的原料气体供给装置

    公开(公告)号:CN103649367B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201280033804.0

    申请日:2012-04-25

    Abstract: 本发明包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流孔,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流孔加热至设定温度,在本发明中,将自动压力调整器下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。

    半导体制造装置的原料气体供给装置

    公开(公告)号:CN103649367A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201280033804.0

    申请日:2012-04-25

    Abstract: 本发明包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流孔,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流孔加热至设定温度,在本发明中,将自动压力调整器下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。

    原料的气化供给装置以及用于其的自动压力调节装置

    公开(公告)号:CN101479402B

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200780024242.2

    申请日:2007-06-13

    CPC classification number: C23C16/4481 C23C16/52 G05D16/2013 Y10T137/7737

    Abstract: 实现基于MOCVD法的用于半导体制造的原料气化供给装置的构造的简易化和小型化,并且高精度地控制原料向加工室的供给量,从而实现半导体的品质的稳定化和品质的提升。本发明的原料气体供给装置,具有:原料容器,贮留原料;流量控制装置,将来自载流气体供给源的一定流量的载流气体(G1)一边调整流量一边向上述原料容器的原料中供给;1次配管路,导出积存在原料容器的上部空间中的原料的蒸气(G4)与载流气体(G1)的混合气体(G0);自动压力调节装置,基于上述1次配管路的混合气体(G0)的压力以及温度的检测值来调节夹设在1次配管路的末端上的控制阀的开度,调节混合气体(G0)所流通的通路截面积,从而保持原料容器内的混合气体(G0)的压力为恒定值;恒温加热部,将上述原料容器以及自动压力调节装置的除了运算控制部的部分加热至设定温度,一边控制原料容器内的内压为期望的压力一边向加工室供给混合气体(G0)。

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