公开(公告)号：CN112868127B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201980068261.8

申请日：2019-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 上妻宗广 ,  池田隆之 ,  松嵜隆德 ,  高桥圭 ,  三上真弓 ,  山崎舜平

IPC: H01M10/60 ,  B60L58/24 ,  H01M10/44 ,  H01M10/48 ,  H01M10/613 ,  H01M10/615 ,  H01M10/633 ,  H01M10/637 ,  H02J7/00 ,  H02J7/10

Abstract: 通过二次电池的异常检测系统检测二次电池的异常，例如早期检测降低二次电池的安全性的现象，向使用者发出警告或者停止二次电池的使用，来确保安全性。二次电池的异常检测系统根据温度传感器所取得的温度信息检测二次电池的温度是否为能够进行正常工作的温度范围内。在二次电池的温度高时，通过二次电池的异常检测系统的控制信号驱动冷却装置。二次电池的异常检测系统至少包括存储单元，并且存储单元具有保持模拟信号的功能且包括作为半导体层使用氧化物半导体的晶体管。

公开(公告)号：CN119054086A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380033969.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。显示装置包括晶体管，晶体管的半导体层设置在形成于衬底上的层间绝缘层中的开口内部。开口之下设置有处于浮动状态的导电层。在层间绝缘层上，从平面看时隔着上述开口相对的位置上设置有源电极及漏电极。半导体层上设置有栅极绝缘层及栅电极。半导体层的沿着开口的侧面的区域可以被用作沟道形成区域。

公开(公告)号：CN118943200A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410553599.5

申请日：2024-05-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 仓田求 ,  方堂凉太 ,  神保安弘 ,  村川努 ,  斋藤晓 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H10B53/30 ,  H10B12/00

Abstract: 半导体装置包括氧化物半导体层、第一至第三导电层及第一至第三绝缘层，第一导电层具有第一凹部，第一导电层上的第一绝缘层及第一绝缘层上的第二导电层具有与第一凹部重叠的第一开口部，氧化物半导体层与第二导电层的顶面、第一凹部的底面及侧面、第二导电层的侧面及第一绝缘层的侧面接触，第二绝缘层在第一开口部内位于氧化物半导体层的内侧，并且第三绝缘层在第一绝缘层上覆盖氧化物半导体层的顶面及侧面并具有与第一开口部重叠的第二开口部。

公开(公告)号：CN118919541A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411183480.X

申请日：2019-08-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠纮慈 ,  江口晋吾

IPC: H01L27/12 ,  H10K50/13 ,  H10K50/19 ,  H10K59/121 ,  H10K59/131 ,  H10K59/35 ,  H10K59/86 ,  G09G3/3225

Abstract: 提供高可靠性显示装置。该显示装置是一种设置有具有数据附加功能的特定像素的EL显示装置。在该像素中设置有存储节点，该存储节点能够储存第一数据。该像素能够通过电容耦合对第一数据附加第二数据来生成第三数据。发光器件根据第三数据工作。该像素包括为发光需要高电压的发光器件或优选施加高电压的发光器件。

公开(公告)号：CN112543907B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201980051575.7

申请日：2019-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠纮慈 ,  石谷哲二

IPC: G06F3/042 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00

Abstract: 提供一种方便性或可靠性良好的新颖输入输出装置。本发明是一种包括显示部及输入部的输入输出装置，显示部包括液晶元件。液晶元件包括第一电极、第二电极、包含液晶材料的层、第一取向膜及第二取向膜，第二电极以对第二电极与第一电极间的包含液晶材料的层施加电场的方式配置。包含液晶材料的层在电场处于第一状态时使入射光以第一散射强度散射，包含液晶材料的层在电场处于大于第一状态的第二状态时使入射光以第二散射强度散射，第二散射强度为第一散射强度的10倍以上。包含液晶材料的层包含液晶材料及高分子材料，包含液晶材料的层由高分子材料稳定化。另外，输入部具有检测区域，输入部检测靠近检测区域的物体，检测区域具有与像素重叠的区域，检测区域包括检测器。

公开(公告)号：CN118872401A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380021364.5

申请日：2023-02-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大贯达也 ,  国武宽司 ,  方堂凉太

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B41/70

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体、第一导电体上的第二导电体。第一存储单元及第二存储单元分别包括晶体管及电容器。晶体管的源极和漏极中的一个与电容器的下部电极电连接。第一导电体具有与第一存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分，第一导电体的顶面具有与第二导电体的底面接触的部分，第二导电体具有与第二存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分。

公开(公告)号：CN118866977A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411277545.7

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  中泽安孝 ,  保本清治 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/28

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。

公开(公告)号：CN118800810A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410924563.3

申请日：2019-02-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  马场晴之 ,  村山史织

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417

Abstract: 提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第三氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第二绝缘体、第三导电体、第一导电体及第二导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第三绝缘体，其中在第三绝缘体及第四绝缘体中设置到达第二氧化物的开口，以覆盖开口的内壁的方式配置第三氧化物，以隔着第三氧化物覆盖开口的内壁的方式配置第二绝缘体，以隔着第三氧化物及第二绝缘体填充开口的方式配置第三导电体，并且在晶体管的沟道长度方向上，第一绝缘体的底面和与第二导电体相对的第一导电体的侧面所形成的角度小于90度。

公开(公告)号：CN118748210A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410756119.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  中泽安孝 ,  保坂泰靖 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34

Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

公开(公告)号：CN118715885A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022270.X

申请日：2023-02-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  井坂史人 ,  大贯达也 ,  山崎舜平

IPC: H10B41/70 ,  G11C11/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。在该半导体装置中，第一晶体管包括从下方依次层叠的第一导电体、第一绝缘体、第一金属氧化物、第二绝缘体及第二导电体以及覆盖第一金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第三导电体及第四导电体，第二晶体管包括从下方依次层叠的第五导电体、第一绝缘体、第二金属氧化物、第三绝缘体及第六导电体以及覆盖第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第七导电体及第八导电体，第三晶体管包括从下方依次层叠的第九导电体、第一绝缘体、第二金属氧化物、第四绝缘体及第十导电体、第八导电体以及覆盖第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第十一导电体，包含可具有铁电性的材料的电容器的一个电极与第三导电体及第六导电体电连接。