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公开(公告)号：CN111373476B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201880075638.8
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/408 , G11C7/04 , H10B12/00
Abstract: 提供一种同时实现高温下的保持工作和低温下的高速工作的存储装置。该存储装置包括驱动器电路以及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。当晶体管包括第一栅极及第二栅极时，驱动器电路具有驱动第二栅极的功能，在存储单元保持数据的期间，驱动器电路将与存储装置的温度或存储装置被设置的环境的温度对应的电位输出到第二栅极。
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公开(公告)号：CN114503129A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069823.3
申请日：2020-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 半导体装置包括CPU及加速器。加速器包括第一存储电路、驱动电路以及积和运算电路。第一存储电路包括第一数据保持部、第二数据保持部以及数据读出部。第一数据保持部、第二数据保持部以及数据读出部各自包括第一晶体管。第一晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。第一数据保持部所保持的第一数据及第二数据保持部所保持的第二数据是输入到积和运算电路的权重数据。积和运算电路具有对权重数据与通过驱动电路被输入的输入数据进行积和运算的功能。积和运算电路及驱动电路各自包括第二晶体管。第二晶体管在沟道形成区域中包含硅。第一晶体管与第二晶体管层叠而设置。
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公开(公告)号：CN114303315A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080058947.1
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的比较电路、新颖的放大电路、新颖的电池控制电路、新颖的电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的源极及漏极中的一个及第三晶体管的源极及漏极中的一个电连接，第三晶体管的源极及漏极中的另一个与第一输出端子电连接，第二晶体管的源极及漏极中的另一个与第二输出端子电连接，该半导体装置具有从第一输出端子及第二输出端子输出供应到第二晶体管的栅极的信号和供应到第三晶体管的栅极的信号的比较结果的功能，并且该半导体装置具有根据供应到第一晶体管的背栅极的电位而改变从第一输出端子输出的电位的功能。
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公开(公告)号：CN113892109A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080038792.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60 , G06N3/063 , H01L29/786
Abstract: 提供一种功耗低且具有耐高温性高的半导体装置。本发明是包括第一电路、第二电路、第一单元、第二单元、第一布线以及第二布线的半导体装置。第一单元包括第一晶体管，第二单元包括第二晶体管。第一晶体管、第二晶体管在亚阈值区域中工作。第一单元通过第一布线与第一电路电连接，第一单元通过第二布线与第二电路电连接，第二单元通过第二布线与第二电路电连接。第一单元将流过第一晶体管的电流编程为第一电流，第二单元将流过第二晶体管的电流编程为第二电流。此时，对应于第二电流的电位从第二布线输入到第一单元。接着，通过从第二电路使第三电流流过来改变第二布线的电位，第一单元输出对应于该电位的变化量和第一电流的第四电流。
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公开(公告)号：CN113196666A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082466.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/00 , H03K19/0175 , H03K19/094
Abstract: 提供一种使用单极晶体管的半导体装置，其中稳态电流没有流过且可以利用高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平。半导体装置包括第一至第四晶体管、第一及第二电容元件、第一及第二布线、第一及第二输入端子以及输出端子。第四晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第四晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个、第二电容元件的一个端子以及第三晶体管的栅极电连接。第四晶体管的栅极与第一输入端子、第一电容元件的一个端子以及第一晶体管的栅极电连接，第二晶体管的栅极与第二输入端子电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第一电容元件的另一个端子、第二电容元件的另一个端子、第三晶体管的源极和漏极中的一个以及输出端子电连接。第二晶体管的源极和漏极中的另一个以及第三晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111373476A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880075638.8
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/408 , G11C7/04 , H01L21/8242 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种同时实现高温下的保持工作和低温下的高速工作的存储装置。该存储装置包括驱动器电路以及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。当晶体管包括第一栅极及第二栅极时，驱动器电路具有驱动第二栅极的功能，在存储单元保持数据的期间，驱动器电路将与存储装置的温度或存储装置被设置的环境的温度对应的电位输出到第二栅极。
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公开(公告)号：CN104979369B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510377722.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/361
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 半导体器件及其制造方法。在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN102792677B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180012932.2
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/361 , H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN116158204A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180052288.5
申请日：2021-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种特性不均匀小的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括泄漏电流得到减少的电容器，该半导体装置的制造方法包括如下步骤：形成第一导电体；在第一导电体上形成第二绝缘体；在第二绝缘体上形成第三绝缘体；在第三绝缘体上形成第二导电体；以及在第二导电体及第三绝缘体上沉积第四绝缘体，其中，包含在第三绝缘体中的氢通过进行加热处理扩散并吸收到第二绝缘体，第一导电体为电容器的一个电极，第二导电体为电容器的另一个电极，并且，第二绝缘体及第三绝缘体为电容器的电介质。
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公开(公告)号：CN115427962A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180028372.3
申请日：2021-04-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60 , G06G7/19 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786 , G06F17/10
Abstract: 提供一种布局自由度高且能够进行积和运算的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置中依次形成有第一层、第二层和第三层，第一层包括第一单元、第一电路、第一布线以及与第一布线相邻的第二布线，第二层包括第三布线以及与第三布线相邻的第四布线，第三层包括电极以及传感器。另外，第一电路包括开关。传感器通过电极及第一插头与第三布线电连接，开关的第一端子通过第二插头与第三布线电连接，开关的第二端子通过第一布线与第一单元电连接。电极具有与传感器重叠的区域以及与第一插头重叠的区域。另外，第一布线至第四布线相互平行，第三布线和第四布线的布线间距离为第一布线和第二布线的布线间距离的0.9倍以上且1.1倍以下。
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