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公开(公告)号：CN105814523B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201480065778.9
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够沿着曲面进行显示和感测的触摸面板或者一种即使在沿着曲面被弯曲时也保持高检测灵敏度的触摸面板。沿着包含在支撑体的表面中的弯曲部布置柔性显示面板。由粘合层沿着显示面板的表面附连第一膜层。由粘合层沿着第一膜层的表面依次附连第二至第n膜层(n为2或更大的整数)。由粘合层沿着第n膜层的表面附连柔性触摸传感器。
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公开(公告)号：CN104979369B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510377722.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/361
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 半导体器件及其制造方法。在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN102792677B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180012932.2
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/361 , H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN110134271A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910293408.5
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种电子装置。提供一种能够沿着曲面进行显示和感测的触摸面板或者一种即使在沿着曲面被弯曲时也保持高检测灵敏度的触摸面板。沿着包含在支撑体的表面中的弯曲部布置柔性显示面板。由粘合层沿着显示面板的表面附连第一膜层。由粘合层沿着第一膜层的表面依次附连第二至第n膜层(n为2或更大的整数)。由粘合层沿着第n膜层的表面附连柔性触摸传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102792677A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180012932.2
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/361 , H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN105814523A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480065778.9
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06F3/041 , G02F1/13338 , G06F2203/04103 , Y10T29/49002
Abstract: 提供一种能够沿着曲面进行显示和感测的触摸面板或者一种即使在沿着曲面被弯曲时也保持高检测灵敏度的触摸面板。沿着包含在支撑体的表面中的弯曲部布置柔性显示面板。由粘合层沿着显示面板的表面附连第一膜层。由粘合层沿着第一膜层的表面依次附连第二至第n膜层(n为2或更大的整数)。由粘合层沿着第n膜层的表面附连柔性触摸传感器。
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公开(公告)号：CN102262486B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110153678.X
申请日：2011-05-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F3/042 , H01L27/146
CPC classification number: G06F3/0421 , G06F3/0428 , H01L27/144 , H01L27/14625 , H01L31/0232 , H01L31/02327
Abstract: 本发明的名称为光检测器，抑制外部光的影响。通过包括按照入射光的照度来生成数据信号的光检测器电路和与光检测器电路重叠的光单元的光检测器，第一数据信号由光检测器电路在光单元处于导通状态时生成，第二数据信号由光检测器电路在光单元处于断路状态时形成，以及第一数据信号和第二数据信号经过比较，使得生成作为两个所比较数据信号之间的差的数据的差数据信号。
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公开(公告)号：CN104979369A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510377722.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/361
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 半导体器件及其制造方法。在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN102262486A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110153678.X
申请日：2011-05-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F3/042 , H01L27/146
CPC classification number: G06F3/0421 , G06F3/0428 , H01L27/144 , H01L27/14625 , H01L31/0232 , H01L31/02327
Abstract: 本发明的名称为光检测器，抑制外部光的影响。通过包括按照入射光的照度来生成数据信号的光检测器电路和与光检测器电路重叠的光单元的光检测器，第一数据信号由光检测器电路在光单元处于导通状态时生成，第二数据信号由光检测器电路在光单元处于断路状态时形成，以及第一数据信号和第二数据信号经过比较，使得生成作为两个所比较数据信号之间的差的数据的差数据信号。
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