公开(公告)号：CN105590964B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510993428.5

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN102687275A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005276.3

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN111788696B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN201980015985.6

申请日：2019-02-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 畑勇气 ,  枥林克明 ,  菅尾惇平 ,  山崎舜平

IPC: H10D30/67 ,  H10B12/00 ,  H10D30/01

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的导电体；与第二氧化物及第三氧化物接触的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三绝缘体，其中，第二氧化物包括第一区域至第五区域，第一区域及第二区域的电阻比第三区域的电阻低，第四区域及第五区域的电阻比第三区域的电阻低且比第一区域及第二区域的电阻高，并且，导电体以与第三区域、第四区域及第五区域重叠的方式设置在第三区域、第四区域及第五区域的上方。

公开(公告)号：CN104733540A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510102867.2

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  高桥正弘 ,  岸田英幸 ,  宫永昭治 ,  中村康男 ,  菅尾惇平 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。

公开(公告)号：CN102576736B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080046492.8

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  鱼地秀贵 ,  中村康男 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 对于以显示装置为代表的半导体器件，一个目的是提供大尺寸或高清晰度屏幕对其可适用并且具有高显示质量并且稳定操作的极可靠半导体器件。通过使用包含Cu的导电层作为长引线布线，抑制布线电阻的增加。此外，包含Cu的导电层按照如下方式来设置：使得它没有与其中形成了TFT的沟道区的半导体层重叠，并且由包含氮化硅的绝缘层围绕，由此能够防止Cu的扩散；因此能够制造极可靠的半导体器件。具体来说，作为半导体器件的一个实施例的显示装置甚至在其尺寸或清晰度增加时也能够具有高显示质量并且稳定操作。

公开(公告)号：CN102598278B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201080045729.0

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  高桥正弘 ,  岸田英幸 ,  宫永昭治 ,  中村康男 ,  菅尾惇平 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。

公开(公告)号：CN102576736A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080046492.8

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  鱼地秀贵 ,  中村康男 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 对于以显示装置为代表的半导体器件，一个目的是提供大尺寸或高清晰度屏幕对其可适用并且具有高显示质量并且稳定操作的极可靠半导体器件。通过使用包含Cu的导电层作为长引线布线，抑制布线电阻的增加。此外，包含Cu的导电层按照如下方式来设置：使得它没有与其中形成了TFT的沟道区的半导体层重叠，并且由包含氮化硅的绝缘层围绕，由此能够防止Cu的扩散；因此能够制造极可靠的半导体器件。具体来说，作为半导体器件的一个实施例的显示装置甚至在其尺寸或清晰度增加时也能够具有高显示质量并且稳定操作。