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公开(公告)号：CN102576608B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201080044992.8
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01G11/02 , H01G9/038 , H01G9/22 , H01G11/28 , H01G11/56 , H01G11/68 , H01G11/70 , H01G11/84 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L28/40 , Y02E60/13
Abstract: 提供可在室温被制造的氧化还原电容器以及其制造方法。含有氢的非晶半导体被用作氧化还原电容器的电解质。可使用含有诸如非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗之类的半导体元素的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的典型示例。可使用含有氢的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。可给出含有诸如氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、以及氧化铟之类的单组分氧化物半导体的非晶半导体作为含有氢的氧化物半导体的典型示例。可使用诸如In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)之类的多组分氧化物半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。
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公开(公告)号：CN102667985A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080053949.8
申请日：2010-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01G9/058 , H01G9/00 , H01G9/025 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01G11/76 , H01G11/02 , H01G11/10 , H01G11/56 , H01G11/62 , H01G11/72 , Y02E60/13
Abstract: 提出一种能够增加电容的电化学电容器。该电化学电容器是形成于基板的表平面上的正电极和负电极。此外，电化学电容器具有电解质，并且正电极和负电极与电解质的相同表平面接触。换句话说，电化学电容器具有在电解质的表平面上的正电极活性材料和负电极活性材料，接触正电极活性材料的正电极集流器，以及接触负电极活性材料的负电极集流器。通过前述结构，可以增加电化学电容器的电容。
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公开(公告)号：CN106099042B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610631472.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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公开(公告)号：CN103283077B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201180059558.1
申请日：2011-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/058 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0565
CPC classification number: H01G11/06 , H01G11/56 , H01M10/052 , H01M10/0566 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M10/058 , H01M2300/0025 , Y02E60/13 , Y10T29/417 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种能够提高充放电容量的具有固体电解质的蓄电装置以及该蓄电装置的制造方法。该蓄电装置包括：正极；负极；以及设置在正极与负极之间的电解质，该电解质包含离子导电高分子化合物、无机氧化物以及锂盐，并且，相对于离子导电高分子化合物与无机氧化物的总和，包含于电解质中的无机氧化物为高于30wt%且50wt%以下。
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公开(公告)号：CN102810672B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210179710.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/62 , H01M4/134 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103238240A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180058641.7
申请日：2011-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/366 , H01G11/06 , H01G11/50 , H01G11/68 , H01G11/72 , H01M4/382 , H01M4/386 , H01M4/661 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明提供一种蓄电装置，该蓄电装置具有改善了的性能如高放电容量，并不容易发生由活性材料层的剥落等导致的劣化。在用于蓄电装置的电极中，在集流体上的活性材料层中使用掺杂有磷的非晶硅作为能够与锂合金化的材料，并且在该活性材料层上作为包含铌的层形成氧化铌。从而可以提高蓄电装置的容量，还可以改善循环特性及充放电效率。
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公开(公告)号：CN102969547A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210317383.6
申请日：2012-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M12/08 , H01M4/381 , H01M4/382 , H01M4/8626 , H01M4/8853 , H01M4/8882 , H01M4/96 , H01M8/0245 , H01M2300/0025 , Y02E60/128 , Y02P70/56 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明的一个方式提供一种能量密度高的蓄电装置的结构以及制造方法。空气电极包括：第一集电体；与第一集电体接触地设置的具有凸状构造物的第二集电体；以及具有1层以上且100层以下的石墨烯膜的催化剂层。由此，首先利用第二集电体的效果可以显著增大空气电极的表面积。而且，因为石墨烯膜可以不使用贵金属等的催化剂剂地呈现催化反应，所以通过在第二集电体上具备催化剂层，能够提高蓄电装置的能量密度。
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公开(公告)号：CN101479777B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200780024166.5
申请日：2007-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B1/118 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , G02F1/133502 , G02F2201/38 , H01L27/3244 , H01L51/5281 , H05B33/22
Abstract: 一种显示设备，其包括抗反射膜，该抗反射膜具有在显示屏幕表面之上的多个凸起，由该多个凸起中的每个凸起的基底与斜面所成的角度为大于等于84度且小于90度。
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公开(公告)号：CN117199253A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311248491.7
申请日：2016-07-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 荻野清文
IPC: H01M4/134 , H01M4/62 , H01M4/1395 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及电极、蓄电池、蓄电装置及电子设备。本发明的一个方式提供一种容量大的蓄电装置、一种能量密度高的蓄电装置、一种可靠性高的蓄电装置或一种寿命长的蓄电装置。此外，本发明的一个方式提供一种容量大的电极、能量密度高的电极或一种可靠性高的电极。本发明的一个方式是一种蓄电装置，包括第一电极以及第二电极，其中，第一电极包括第一集流体以及第一活性物质层，第一活性物质层包括活性物质粒子、设置在活性物质粒子的周围的空隙、石墨烯以及粘合剂，活性物质粒子是硅，并且，活性物质及该空隙被石墨烯和粘合剂覆盖。
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公开(公告)号：CN116670743A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180087488.4
申请日：2021-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00
Abstract: 提供一种容易实现高清晰化的显示装置的制造方法。提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。在该制造方法中，在第一像素电极及第二像素电极上沉积第一EL膜，以覆盖第一EL膜的方式形成第一牺牲膜，对第一牺牲膜及第一EL膜进行蚀刻来使第二像素电极露出，并且形成第一像素电极上的第一EL层及该第一EL层上的第一牺牲层并去除第一牺牲层。第一EL膜及第二EL膜通过干蚀刻进行蚀刻，第一牺牲层通过湿蚀刻去除。
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