公开(公告)号：CN1363950A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01133100.3

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  Y10S438/904

Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在绝缘表面上形成半导体薄膜;通过用YVO4激光器的谐波照射使半导体薄膜结晶;使结晶的半导体薄膜构图以形成结晶的岛状半导体薄膜;以及在结晶的岛状半导体薄膜中形成薄膜晶体管的至少一个沟道区域。

公开(公告)号：CN100382245C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510099847.0

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体薄膜；通过照射YVO4激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶；构图结晶的半导体薄膜，以形成岛状半导体。或者，可以通过照射YVO4激光器的具有线性形状的二次谐波使半导体薄膜结晶。也可以先构图半导体薄膜以形成岛状半导体，然后照射YVO4激光器的二次谐波，以使岛状半导体薄膜结晶。在这里，YVO4激光器的二次谐波的照射面的形状具有等于或大于10的纵横比。或者，在衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成半导体薄膜，通过照射YVO4激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶，构图结晶的半导体薄膜以形成岛状半导体薄膜，其中绝缘膜含有至少一种选自氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的材料。

公开(公告)号：CN1294619C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN02140930.7

申请日：2002-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是提高结晶半导体薄膜的取向比，这种半导体薄膜是通过让非晶半导体薄膜结晶，同时将玻璃这种不太耐热的材料用作基底获得的，从而利用结晶半导体薄膜提供跟单晶器件具有同样高质量的半导体器件。在基底上形成第一层结晶半导体薄膜和第二层结晶半导体薄膜，它们一起构成一层结晶半导体。第一层和第二层结晶半导体薄膜是具有多个晶粒聚集在一起的多晶体。

公开(公告)号：CN1282989C

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN02131506.X

申请日：2002-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78684

Abstract: 一种半导体设备，其中具有平整主表面的半导体膜被用作有源层。具有平整主表面的半导体膜(5)其rms小于10nm，P-V值小于70nm，它们分别显示表面粗糙度，该膜通过含有浓度为百分之几、优选是0.1-10原子%的锗的硅膜结晶并用激光照射该膜而形成。在采用促进结晶的金属元素进行结晶的情况下，获得了晶体取向率以及平整度高的半导体膜。

公开(公告)号：CN1248287C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02152955.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G06F9/45

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。

公开(公告)号：CN1396626A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN02140930.7

申请日：2002-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是提高结晶半导体薄膜的取向比，这种半导体薄膜是通过让非晶半导体薄膜结晶，同时将玻璃这种不太耐热的材料用作基底获得的，从而利用结晶半导体薄膜提供跟单晶器件具有同样高质量的半导体器件。在基底上形成第一层结晶半导体薄膜和第二层结晶半导体薄膜，它们一起构成一层结晶半导体。第一层和第二层结晶半导体薄膜是具有多个晶粒聚集在一起的多晶体。

公开(公告)号：CN1285423A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00126012.X

申请日：2000-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  河崎律子 ,  大谷久 ,  田中幸一郎

IPC: C30B35/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0676 ,  H01L21/2026

Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜,使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下,应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io'满足关系0

公开(公告)号：CN100565821C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610099648.4

申请日：2000-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  河崎律子 ,  大谷久 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  B23K26/00 ,  G02F1/35

Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io′满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。

公开(公告)号：CN1913106A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610151692.5

申请日：2002-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/30

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78684

Abstract: 一种半导体设备，其中具有平整主表面的半导体膜被用作有源层。具有平整主表面的半导体膜(5)其rms小于10nm，P－V值小于70nm，它们分别显示表面粗糙度，该膜通过含有浓度为百分之几、优选是0.1－10原子％的锗的硅膜结晶并用激光照射该膜而形成。在采用促进结晶的金属元素进行结晶的情况下，获得了晶体取向率以及平整度高的半导体膜。

公开(公告)号：CN1825553A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005816.9

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。