公开(公告)号：CN1165996C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN00118042.8

申请日：2000-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  北角英人 ,  福永健司

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种具有高操作性能和高可靠性的电光器件和包括这种电光器件的电子设备。通过在形成驱动电路的n沟道TFT中设置叠加栅极的LDD区可实现抗热载流子注入能力很强的TFT结构。此外，通过在形成象素部分的象素TFT中设置不叠加栅极的LDD区可实现具有低截止电流值的TFT结构。而且，该电光器件具有在同一绝缘体上的存储部分，该存储部分具有存储晶体管并存储数据。

公开(公告)号：CN1165976C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN97104977.7

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L21/322 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1872 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S257/903 ,  Y10S257/904 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。

公开(公告)号：CN1161638C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN97111285.1

申请日：1997-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  福永健司

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/13392 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供了一种制造高像质液晶显示装置的技术，根据像素间距的宽度限定保持液晶层的单元间距的设定范围，尤其，设定单元间距的宽度为像素间距的十分之一，从而可获得高像质的液晶显示装置，它不会产生由于电场影响而引起的像显示失败，例如畸变。

公开(公告)号：CN1504820A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310124529.6

申请日：1997-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  福永健司

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L2029/7863

Abstract: 一种有源矩阵显示装置，其特征在于，该装置包括在衬底上形成的有源矩阵电路和驱动器电路；所述驱动器电路至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括：含有第一源/漏区、一对轻掺杂区及它们之间的第一沟道形成区的第一半导体层，以及隔着第一栅绝缘层邻接于所述第一沟道形成区的第一栅电极；所述第二薄膜晶体管包括：含有第二源/漏区及它们之间的第二沟道形成区的第二半导体层，以及隔着第二栅绝缘层邻接于所述第二沟道形成区的第二栅电极；其中：所述第二沟道形成区与所述第二源/漏区直接接触，含n型杂质与p型杂质的一对区段分别邻接于所述第二源/漏区而形成，且所述一对区段中至少有一个与电极连接。

公开(公告)号：CN1153256C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN97104828.2

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/335 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种薄膜半导体，可以认为该薄膜半导体基本上是单晶，本发明还涉及一种包括由薄膜半导体构成的有源层的半导体器件。在与非晶硅膜的下表面接触的绝缘膜上有意形成至少一个凹凸图形，从而形成至少一个加速结晶的金属元素在此分凝的点。因此，在凹凸图形所在位置选择地形成了晶核，该方法能控制晶体直径。于是获得结晶硅膜。用激光照射或用有与激光相同能量的强光照射结晶硅膜，可以提高其结晶度，从而获得其中基本上没有晶界的单畴区。

公开(公告)号：CN1495910A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN02144036.0

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L29/78 ,  G02F1/136 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1872 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S257/903 ,  Y10S257/904 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。本发明还涉及制造所述半导体薄膜的方法和含有该半导体薄膜的器件和电器。

公开(公告)号：CN1091943C

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN96114412.2

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1238553A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN99106954.4

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  张宏勇 ,  福永健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  Y10S148/016

Abstract: 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理以使此膜晶化。

公开(公告)号：CN1223459A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98120978.5

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  张宏勇 ,  福永健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  Y10S148/016

Abstract: 一种半导体器件,包括至少一个含有结晶硅膜的有源区,在绝缘表面上形成,其特征在于,所述硅膜含促进非晶硅膜晶化过程的催化元素。

公开(公告)号：CN1200577A

公开(公告)日：1998-12-02

申请号：CN97122885.X

申请日：1997-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层,并在含卤素气氛中热处理,除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。