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公开(公告)号：CN101740632A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910220860.5
申请日：2009-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L27/02
CPC classification number: H01L29/66742 , C04B35/58 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , H01L27/1225 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及涉及半导体装置及其制造方法。在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，将包含铟、镓、锌、氧和氮的缓冲层设置在氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间。
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公开(公告)号：CN113571588A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110854378.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/417 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN107710392A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680021254.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN101901838B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201010197655.4
申请日：2010-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/34 , H01L27/02
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L21/465 , H01L21/47635 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。还提供该薄膜晶体管的制造方法。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成其导电率高于该氧化物半导体层的缓冲层，在该缓冲层上形成源电极层及漏电极层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着缓冲层电连接。此外，缓冲层受到反溅射处理及氮气氛中的热处理，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层。
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公开(公告)号：CN104064473A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410329040.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859799A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010159694.5
申请日：2010-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成具有高电阻区及低电阻区的缓冲层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层接触而中间夹着缓冲层的低电阻区。
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公开(公告)号：CN101859799B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201010159694.5
申请日：2010-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成具有高电阻区及低电阻区的缓冲层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层接触而中间夹着缓冲层的低电阻区。
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公开(公告)号：CN104078471B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410329038.3
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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公开(公告)号：CN104078471A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410329038.3
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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公开(公告)号：CN101740632B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN200910220860.5
申请日：2009-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L27/02
CPC classification number: H01L29/66742 , C04B35/58 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , H01L27/1225 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及涉及半导体装置及其制造方法。在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，将包含铟、镓、锌、氧和氮的缓冲层设置在氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间。
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