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公开(公告)号：CN101872740A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010167278.X
申请日：2010-04-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及SOI衬底的制造方法，公开的发明的一个方式，包括：第一工序，即将离子照射到键合衬底来在键合衬底中形成脆化区域；第二工序，即隔着绝缘层贴合键合衬底和支撑衬底；第三工序，即在脆化区域中分离键合衬底来在支撑衬底上隔着绝缘层形成半导体层；以及第四工序，即对于在脆化区域中分离的键合衬底，在氩气氛中进行第一热处理，然后在氧和氮的混合气氛中进行第二热处理，以形成再生键合衬底，其中再次使用再生键合衬底作为第一工序中的键合衬底。
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公开(公告)号：CN100405577C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410078765.3
申请日：2004-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L51/5203 , H01L51/5262 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的目的是提供一种发光效率(取出光的效率)高、亮度高、功耗低、并且稳定性高的发光器件以及这种发光器件的制造方法。在本发明中，分割墙和耐热性平整膜使用相同的材料，这样可以提高密接性，同时，可以减少制造成本。在耐热性平整膜上连接形成阳极或阴极。此外，密接分割墙和耐热性平整膜而不在其间夹具有不同折射率的膜，以形成不在界面产生光反射的结构。
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公开(公告)号：CN100392876C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410076977.8
申请日：2004-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , G02F1/13454 , G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5246 , H01L51/529 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种高可靠性EL显示器件以及制造该显示器件的方法，它可以屏蔽侵入的潮气或氧，这是劣化EL元件性能的一个因素，而没有增大EL显示器件。在本发明中，涂敷作为一种方法，用于形成高热稳定性平整薄膜16，典型的是，TFT的中间绝缘薄膜(作为以后发光元件的基础薄膜)，在该薄膜中，采用硅(Si)和氧(O)的组合构成主干结构。在形成之后，再形成具有锥形形状的边缘部分和开孔部分。此后，添加具有相对较大原子半径的惰性元素产生变形，以改进或高密度化其表面(包括侧面)，从而防止潮气或氧的侵入。
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公开(公告)号：CN1655370A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410082283.5
申请日：2004-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/52 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5246 , H01L2251/5323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的就是提供这样一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，关注层间绝缘膜的渗透性，根据本发明，通过阻止水从层间绝缘膜的进入，抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。
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公开(公告)号：CN1599056A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410078765.3
申请日：2004-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L51/5203 , H01L51/5262 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的目的是提供一种发光效率(取出光的效率)高、亮度高、功耗低、并且稳定性高的发光器件以及这种发光器件的制造方法。在本发明中，分割墙和耐热性平整膜使用相同的材料，这样可以提高密接性，同时，可以减少制造成本。在耐热性平整膜上连接形成阳极或阴极。此外，密接分割墙和耐热性平整膜而不在其间夹具有不同折射率的膜，以形成不在界面产生光反射的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102646600B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210102929.6
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L27/14623 , H01L27/3244 , H01L29/78645
Abstract: 半导体设备及其制造方法。本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。
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公开(公告)号：CN101872740B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010167278.X
申请日：2010-04-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及SOI衬底的制造方法，公开的发明的一个方式，包括：第一工序，即将离子照射到键合衬底来在键合衬底中形成脆化区域；第二工序，即隔着绝缘层贴合键合衬底和支撑衬底；第三工序，即在脆化区域中分离键合衬底来在支撑衬底上隔着绝缘层形成半导体层；以及第四工序，即对于在脆化区域中分离的键合衬底，在氩气氛中进行第一热处理，然后在氧和氮的混合气氛中进行第二热处理，以形成再生键合衬底，其中再次使用再生键合衬底作为第一工序中的键合衬底。
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公开(公告)号：CN102646600A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210102929.6
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L27/14623 , H01L27/3244 , H01L29/78645
Abstract: 半导体设备及其制造方法。本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。
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公开(公告)号：CN1866540B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200610084061.6
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L27/14623 , H01L27/3244 , H01L29/78645
Abstract: 本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。
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公开(公告)号：CN101483186A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810186334.7
申请日：2004-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/52 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5246 , H01L2251/5323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的就是提供这样一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，关注层间绝缘膜的渗透性，根据本发明，通过阻止水从层间绝缘膜的进入，抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。
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