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公开(公告)号：CN101026172A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710085810.1
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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公开(公告)号：CN1311558C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02106559.4
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/4846 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/02367 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1277 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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公开(公告)号：CN1614743A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410092710.8
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/4846 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/02367 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1277 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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公开(公告)号：CN1555098A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200410069425.4
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/4846 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/02367 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1277 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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