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公开(公告)号：CN102709313B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201210151604.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广濑笃志
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/24421
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。本发明提供了形状比传统情况更容易控制的圆形薄膜晶体管的制造方法，同时该方法通过诸如液滴释放方法的无掩模方法形成圆形薄膜晶体管而简化了步骤并且降低了制造时间和成本。在本发明中，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形电极的圆形薄膜晶体管。另外，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，可以通过在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形半导体层的圆形薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1866481B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610082449.2
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广濑笃志
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/24421
Abstract: 本发明提供了形状比传统情况更容易控制的圆形薄膜晶体管的制造方法，同时该方法通过诸如液滴释放方法的无掩模方法形成圆形薄膜晶体管而简化了步骤并且降低了制造时间和成本。在本发明中，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形电极的圆形薄膜晶体管。另外，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，可以通过在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形半导体层的圆形薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101064496B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200710100953.5
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广濑笃志
CPC classification number: H03F1/086 , G05F3/262 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L2224/16225 , H03F2200/513
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其中在电流镜电路中对于所述电流镜电路内的寄生电阻设置有补偿所述寄生电阻的补偿电阻，并且所述电流镜电路具有至少两个薄膜晶体管。每个所述薄膜晶体管包括：具有沟道形成区域、源区或漏区的岛状半导体膜；栅极绝缘膜；栅电极；以及源电极或漏电极，并且所述补偿电阻补偿所述栅电极、源电极、以及漏电极中任何一个的寄生电阻。此外，补偿电阻分别具有包含与栅电极、源电极或漏电极、或者源区或漏区相同的材料的导电层。
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公开(公告)号：CN1877269B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610084883.4
申请日：2006-05-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G01J1/18 , G01J1/44 , G01J2001/4406 , G09G3/3611 , G09G2320/0626 , G09G2360/144 , G09G2360/145 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个目标是提供一种检测从弱光到强光范围的光的光电转换装置。本发明涉及一种光电转换装置，它包括具有光电转换层的光电二极管、包括薄膜晶体管的放大器电路以及偏置切换装置，其中当入射光的强度超过预定强度时，通过偏置切换装置切换与光电二极管和放大器电路相连的偏置，因此，小于预定强度的光被光电二极管检测而大于预定强度的光被放大器电路的薄膜晶体管检测。通过本发明，可以检测从弱光到强光范围的光。
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公开(公告)号：CN101064496A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710100953.5
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广濑笃志
CPC classification number: H03F1/086 , G05F3/262 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L2224/16225 , H03F2200/513
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其中在电流镜电路中对于所述电流镜电路内的寄生电阻设置有补偿所述寄生电阻的补偿电阻，并且所述电流镜电路具有至少两个薄膜晶体管。每个所述薄膜晶体管包括：具有沟道形成区域、源区或漏区的岛状半导体膜；栅极绝缘膜；栅电极；以及源电极或漏电极，并且所述补偿电阻补偿所述栅电极、源电极、以及漏电极中任何一个的寄生电阻。此外，补偿电阻分别具有包含与栅电极、源电极或漏电极、或者源区或漏区相同的材料的导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101233394B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200680027408.1
申请日：2006-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/102 , G01J1/44 , H01L31/145 , H04N5/2351
Abstract: 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。
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公开(公告)号：CN102709313A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210151604.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广濑笃志
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/24421
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。本发明提供了形状比传统情况更容易控制的圆形薄膜晶体管的制造方法，同时该方法通过诸如液滴释放方法的无掩模方法形成圆形薄膜晶体管而简化了步骤并且降低了制造时间和成本。在本发明中，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形电极的圆形薄膜晶体管。另外，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，可以通过在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形半导体层的圆形薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101211931B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710160849.5
申请日：2007-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/60
CPC classification number: H01L23/60 , H01L27/0248 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L31/02019 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明包括光电二极管以及放大光电二极管的输出的电路。在光电二极管以及电路上中间夹着绝缘层且与两个端子一起形成假电极，该假电极与两个端子邻接，且该假电极的面积大于两个端子的面积。假电极不连接到半导体器件的光电二极管也不连接到电路。通过将假电极的面积设定为大，使在假电极中比在两个端子中更容易产生静电破坏，来防止半导体器件被静电破坏。
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公开(公告)号：CN101950750A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010212353.X
申请日：2010-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/60
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L23/60 , H01L23/62 , H01L27/14609 , H01L27/14616 , H01L27/14692 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的要旨是使用于半导体装置的保护电路有效地起作用，来防止浪涌所引起的半导体装置的损坏。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：端子电路；保护电路；集成电路；以及使它们彼此电连接的布线，其中，保护电路设置在端子电极和集成电路之间，并且，不分支布线地使端子电极、保护电路、集成电路彼此连接。可以防止静电放电所引起的半导体装置的损坏。此外，可以减少在半导体装置中产生的不良现象。
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