公开(公告)号：CN101436600B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200810185259.2

申请日：2006-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  山本裕子

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L23/5226 ,  G02F1/136227 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/41733 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法、以及电子设备。本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。

公开(公告)号：CN1991587A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064238.6

申请日：2006-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  山本裕子

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70025 ,  G03F7/7035

Abstract: 激光加工装置，曝光装置和曝光方法。一种曝光装置，包括用于保持要曝光的基底8的平台10；设置在由平台10保持的要曝光的基底8之上的直接写入掩模6；掩模上设有重复开口图案，其中每一个具有近似相同尺寸的多个开口以近似相同的间隔排列成一条线；用于用线性激光束1c沿重复开口图案照射的照射机构；以及用于移动激光束与由平台保持的基底之间的相对位置的移动机构，该激光束是以由激光加工机构形成的线性激光束经过开口图案的多个开口的方式形成的。