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公开(公告)号：CN102160102B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980137188.1
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/26
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/0266 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅绝缘层；在栅绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；与第一氧化物半导体层的沟道形成区域重叠的沟道保护层；以及一对第一布线层和第二布线层，其端部在沟道保护层上与栅电极重叠，并层叠有导电层和第二氧化物半导体层。在栅绝缘层上具有不同性质的氧化物半导体层彼此接合，藉此与肖特基结相比可进行稳定工作。因而，结漏可降低，并且可改善非线性元件的特性。
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公开(公告)号：CN102160103B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200980137189.6
申请日：2009-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , H01L27/0266 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上与栅电极重叠，并其中层叠有导电层和第二氧化物半导体层的第一布线层及第二布线层。在栅极绝缘层上接合物理性质彼此不同的氧化物半导体层，由此与肖特基结相比可进行稳定工作。因此，结漏降低，且可提高非线性元件的特性。
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公开(公告)号：CN1873933B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610092457.5
申请日：2006-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/02683 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/1285 , H01L27/1288
Abstract: 提供一种具有高工作性能和高可靠性的电路的半导体器件，并提高了半导体器件的可靠性，从而提高具有该半导体器件的电子设备的可靠性。上述目标通过结合下面的步骤来实现，即在沿一个方向扫描的同时，通过用连续波激光束或重复频率为10MHz或更大的脉冲激光束的辐射来使半导体层结晶的步骤；使用包括辅助图形的光掩膜或掩膜原版的光刻步骤，所述辅助图形由具有降低光强度功能的衍射光栅图形或半透射膜构成；以及通过使用具有低电子温度的高密度等离子体，对半导体膜、绝缘膜或导电膜的表面进行氧化、氮化或表面改性的步骤。
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公开(公告)号：CN101719493A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910204759.0
申请日：2009-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , G02F1/167 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/33
CPC classification number: G02F1/136204 , H01L27/0248 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的名称为显示装置，为了利用包括氧化物半导体的显示装置的性质，具有适当结构和小占用面积的保护电路等是必要的。保护电路使用非线性元件来形成，非线性元件包括：覆盖栅电极的栅绝缘膜；在栅绝缘膜之上的第一氧化物半导体层；沟道保护层，覆盖与第一氧化物半导体层的沟道形成区重叠的区域；以及第一布线层和第二布线层，它们的每个通过堆叠导电层和第二氧化物半导体层并且在第一氧化物半导体层之上形成。栅电极连接到扫描线或信号线，第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极。
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公开(公告)号：CN101378082A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810212476.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866540A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084061.6
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L27/14623 , H01L27/3244 , H01L29/78645
Abstract: 本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。
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公开(公告)号：CN103985718B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201410239406.5
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G09G3/36
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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公开(公告)号：CN104134673B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410186936.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是显示装置及其制造方法。本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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公开(公告)号：CN102646600B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210102929.6
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L27/14623 , H01L27/3244 , H01L29/78645
Abstract: 半导体设备及其制造方法。本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。
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公开(公告)号：CN101939694B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200980104073.2
申请日：2009-02-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小森茂树
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: 本发明目的之一是简化液晶显示器件等的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，形成依次层叠了第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜及第二导电膜的叠层体，通过第一蚀刻露出第一导电膜，并且通过第二蚀刻形成第二导电膜的图案。此外，在形成薄膜晶体管之后，形成滤色器层以使得减轻由薄膜晶体管等导致的不平坦；从而，减少形成像素电极层的表面的水平差。
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