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公开(公告)号：CN107256928B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201710506841.3
申请日：2013-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种发光装置，其包括：衬底；位于所述衬底上的电极端子；位于所述衬底上的发光元件，所述发光元件包括：电连接至所述电极端子的第一电极层；位于所述第一电极层和所述电极端子上的包含有机化合物的层；以及位于所述包含有机化合物的层上的第二电极层；以及与所述第二电极层重叠的树脂层，其中，所述包含有机化合物的层具有不与所述电极端子的表面重叠的第一区域，所述树脂层不与所述第一区域重叠，并且所述包含有机化合物的层具有与所述电极端子接触的第二区域。由此，孔的底部或周边不受由热而导致的损伤而在有机膜中穿具有所希望的深度的孔来使电极端子露出，并且不损伤电极端子而使被有机膜等覆盖的电极端子露出。
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公开(公告)号：CN104425320B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201410436493.3
申请日：2014-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明的一个方式的目的是：提供一种剥离起点形成装置，借助于剥离起点能够剥离加工构件的表层以分离剩余部；提供一种具备被剥离了表层的加工构件的剩余部及支撑体的叠层体的制造装置。本发明的一个方式包括：支撑加工构件的载物台；与载物台相对的切削工具；支撑切削工具的头部；支撑头部的臂部；以及将切削工具相对载物台移动的移动机构。
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公开(公告)号：CN102386072B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201110228409.5
申请日：2011-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78648 , H01L29/78672 , H01L29/78678 , H01L29/78696 , H01L31/03685 , H01L31/068 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。本发明的一个方式如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。
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公开(公告)号：CN102386072A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110228409.5
申请日：2011-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78648 , H01L29/78672 , H01L29/78678 , H01L29/78696 , H01L31/03685 , H01L31/068 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的一个方式是如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。
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公开(公告)号：CN101562155A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910132821.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/027 , H01L27/15 , H05B33/10 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明为发光装置及其制造方法。所公开的发明的薄膜晶体管的制造方法包括如下步骤：按顺序层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜及第二导电膜(薄膜叠层体)；通过第一蚀刻使所述第一导电膜露出并至少形成所述薄膜叠层体的图案；通过第二蚀刻形成第一导电膜的图案。其中，以第一导电膜受到侧面蚀刻的条件进行所述第二蚀刻。另外，可以在形成上述图案之后，利用起因于图案的凹凸选择性地形成EL层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101504930A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910004867.3
申请日：2009-01-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。
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公开(公告)号：CN107256929B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710512150.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：形成电极端子和第一电极层；在所述电极端子上形成第一层且在所述第一电极层上形成第二层，所述第一层和所述第二层包含发光物质；在所述第二层上形成第二电极层；形成与所述第二电极层和所述电极端子重叠的树脂层；以及通过去除所述树脂层的一部分和所述第一层的一部分，形成与所述电极端子重叠的开口，其中，所述第一电极层、所述第二层和所述第二电极层形成发光元件。通过本发明，可以不损伤电极端子而使被有机膜覆盖的电极端子露出。
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公开(公告)号：CN107256928A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710506841.3
申请日：2013-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种发光装置，其包括：衬底；位于所述衬底上的电极端子；位于所述衬底上的发光元件，所述发光元件包括：电连接至所述电极端子的第一电极层；位于所述第一电极层和所述电极端子上的包含有机化合物的层；以及位于所述包含有机化合物的层上的第二电极层；以及与所述第二电极层重叠的树脂层，其中，所述包含有机化合物的层具有不与所述电极端子的表面重叠的第一区域，所述树脂层不与所述第一区域重叠，并且所述包含有机化合物的层具有与所述电极端子接触的第二区域。由此，孔的底部或周边不受由热而导致的损伤而在有机膜中穿具有所希望的深度的孔来使电极端子露出，并且不损伤电极端子而使被有机膜等覆盖的电极端子露出。
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公开(公告)号：CN105474355A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480044272.X
申请日：2014-07-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L51/524
Abstract: 为了提高剥离工序中的成品率，并且提高柔性发光装置等的制造工序中的成品率，一种剥离方法包括在第一基板上形成剥离层的第一步骤、在剥离层上形成包含与剥离层接触的第一层的待剥离层的第二步骤、使与剥离层及待剥离层重叠的状态下的粘合层固化的第三步骤、去除与剥离层及粘合层重叠的第一层的一部分来形成起剥点的第四步骤以及将剥离层和待剥离层分离的第五步骤。所述起剥点优选通过激光照射形成。
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公开(公告)号：CN104425320A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410436493.3
申请日：2014-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: B26D3/282 , B26D3/08 , B26F1/3826 , C03B33/027 , C03B33/037 , C03B33/07 , G02F1/1303 , Y02P40/57 , Y10T83/0281 , Y10T156/1051 , Y10T156/1082 , Y10T156/1126 , Y10T156/1137 , Y10T156/1168 , Y10T156/1195 , Y10T156/12 , Y10T156/1348 , Y10T156/1788 , Y10T156/1793 , Y10T156/1928 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1994
Abstract: 本发明的一个方式的目的是：提供一种剥离起点形成装置，借助于剥离起点能够剥离加工构件的表层以分离剩余部；提供一种具备被剥离了表层的加工构件的剩余部及支撑体的叠层体的制造装置。本发明的一个方式包括：支撑加工构件的载物台；与载物台相对的切削工具；支撑切削工具的头部；支撑头部的臂部；以及将切削工具相对载物台移动的移动机构。
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