公开(公告)号：CN1003899B

公开(公告)日：1989-04-12

申请号：CN85104934

申请日：1985-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  永山进 ,  伊藤健二

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H05K3/027 ,  Y02E10/50

Abstract: 在制造包括至少一层透明导电层的电子器件的方法中，包括采用一束或多束点状或线状激光束形成至少一个透明导电层部件的步骤和至少一个对透明导电层部件制作图形面形成透明导电层的步骤，上述每一种激光束都具有400nm或更短的波长和大于透明导电层光能带宽度的光能。

公开(公告)号：CN1041790A

公开(公告)日：1990-05-02

申请号：CN89107899.1

申请日：1989-10-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  林茂则 ,  石田典也 ,  佐佐木麻里 ,  竹山顺一 ,  伊藤健二 ,  小政弘 ,  角野真也

IPC: C23C16/26 ,  C03C17/22 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/26

Abstract: 用化学汽相淀积法在一个表面上涂覆碳质薄膜。在淀积该碳质薄膜之前，在该表面上先涂覆一层氮化硅薄膜，以防该碳质膜和衬底表面之间的相互扩散。