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公开(公告)号：CN119586349A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380051385.1
申请日：2023-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种兼具低功耗及高性能的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二晶体管。第一晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二导电层、第二导电层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第三导电层以及第一半导体层。第二导电层在与第一导电层重叠的区域中具有到达第一绝缘层的第一开口。第一绝缘层至第三绝缘层及第三导电层在与第一开口重叠的区域中具有到达第一导电层的第二开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面以及第三导电层的顶面及侧面接触。第二晶体管包括第四导电层、第四导电层上的第一绝缘层至第三绝缘层及第三绝缘层上的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN117693782A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202280052018.9
申请日：2022-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：包括第一下部电极以及位于第一下部电极上的第一有机化合物层的第一发光器件；包括第二下部电极以及位于第二下部电极上的第二有机化合物层的第二发光器件；第一发光器件以及第二发光器件包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，其中，辅助布线包括第一布线层以及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第二布线层在俯视时具有格子状。
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公开(公告)号：CN111052396B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201880056532.3
申请日：2018-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够实现高集成化的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一导电层以及第二导电层。第二半导体层位于第一半导体层上，第二导电层位于第二半导体层上，第二绝缘层以覆盖第二导电层的顶面和侧面的方式设置。第二导电层和第二绝缘层具有第一开口，第三半导体层被设置为接触于第二绝缘层的顶面、第一开口的侧面及第二半导体层的位置。第一绝缘层位于第一导电层与第三半导体层之间，第三绝缘层位于第一绝缘层与第一导电层之间，第四绝缘层以围绕第一导电层的方式设置。
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公开(公告)号：CN117539095A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311433229.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/35
Abstract: 提供一种开口率高的液晶显示装置。该显示装置在像素中包括晶体管、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第一导电层、像素电极、公共电极以及液晶层。第一绝缘层位于晶体管的沟道形成区域上。第一导电层位于第一绝缘层上。第二绝缘层位于晶体管、第一绝缘层及第一导电层上。像素电极位于第二绝缘层上，第三绝缘层位于像素电极上，公共电极位于第三绝缘层上，液晶层位于公共电极上。公共电极具有隔着像素电极与第一导电层重叠的区域。像素包括像素电极与晶体管电连接的第一连接部及第一导电层与公共电极电连接的第二连接部。第一导电层、像素电极及公共电极都具有使可见光透过的功能。
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公开(公告)号：CN116887634A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311011380.4
申请日：2019-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/131 , H01L27/15 , H01L33/62 , H10K59/12 , H10K71/00 , H01L33/00 , G02F1/1362 , G02F1/1333
Abstract: 本公开涉及显示装置及显示装置的制造方法。提高显示装置的制造成品率。提高显示装置的对ESD的耐性。显示装置包括衬底、显示部、连接端子、第一布线、第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。此外，半导体层及第二布线包含金属氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112639931B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201980055083.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , H10K59/131 , H10K59/124 , H05B33/02 , H10K50/805
Abstract: 提供一种显示面板。另外，提供一种显示装置。另外，提供一种输入输出装置。另外，提供一种数据处理装置。本发明的一个方式是一种显示面板，包括显示区域、功能层、第一绝缘膜及第一导电膜，显示区域包括像素，像素包括显示元件及像素电路，显示元件具有夹在第一绝缘膜与功能层间的区域，显示元件包括第一电极与第二电极，第一电极具有夹在第二电极与功能层间的区域，第二电极包括第一开口部，功能层包括像素电路、第二开口部及辅助布线，像素电路在第二开口部与显示元件电连接，辅助布线具有与第一开口部重叠的区域，第一绝缘膜具有第三开口部，第三开口部具有与第一开口部重叠的区域，第一导电膜在第三开口部与第二电极及辅助布线电连接。
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公开(公告)号：CN110911419A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910986729.3
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。
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公开(公告)号：CN109891551A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066486.0
申请日：2017-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 以低成本且高生产率制造半导体装置。提高半导体装置的制造工序的成品率。在衬底上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成粘合层的情况下，优选以位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成粘合层。
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公开(公告)号：CN105051596B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201480018108.1
申请日：2014-03-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1335 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种能够实现良好的反射显示的新颖显示装置。该显示装置包括：晶体管，其包括栅电极层、该栅电极层上的栅极绝缘层、该栅极绝缘层上的半导体层、和在该栅极绝缘层及半导体层上的源电极层及漏电极层；与该源电极层及该漏电极层同一平面上的反射电极层；与该反射电极层重叠的着色层；与该着色层重叠的像素电极层；以及连接到该源电极层和该漏电极层中的一个的抗氧化导电层。该像素电极层通过该抗氧化导电层连接到该晶体管。
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公开(公告)号：CN108963105A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810710610.9
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及一种发光装置，该发光装置包括第一柔性衬底、第二柔性衬底、缓冲层、第一裂缝抑制层以及发光元件，第一柔性衬底的第一面和第二柔性衬底的第二面相对，缓冲层及第一裂缝抑制层设置在第一柔性衬底的第一面上，缓冲层和第一裂缝抑制层相互重叠，发光元件设置在第二柔性衬底的第二面上。
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