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公开(公告)号:CN108203827A
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201711373532.X
申请日:2017-12-19
IPC: C23F1/18 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: C23F1/18 , H01L21/28008 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L29/4232
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量%至20重量%的过硫酸盐、0.1重量%至10重量%的磷酸或亚磷酸、0.1重量%至5重量%的磷酸盐化合物、0.1重量%至6重量%的单氮类环状化合物、0.1重量%至5重量%的磺酸类化合物、0.1重量%至2重量%的唑类化合物及余量的水,所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。
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公开(公告)号:CN105734570A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201510994298.7
申请日:2015-12-25
IPC: C23F1/18 , H01L21/768
Abstract: 本文公开了蚀刻剂组合物,其包含:10重量%至20重量%的过硫酸盐;0.1重量%至10重量%的磷酸(H3PO4)或亚磷酸(H3PO3);0.1重量%至2重量%的基于氮的环状化合物;0.1重量%至5重量%的磺酸化合物;0.1重量%至2重量%的铜腐蚀抑制剂;0.1重量%至2重量%的氟化合物;和使所有成份的总重量为100重量%的余量水。本文还公开了使用该蚀刻剂组合物制造金属接线的方法。
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公开(公告)号:CN109423648B
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN201811019029.9
申请日:2018-09-03
IPC: C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/02 , H01L21/306
Abstract: 提供了蚀刻剂组合物,包含10wt%至20wt%的过氧化氢、0.1wt%至2wt%的基于唑的化合物、0.1wt%至10wt%的无机酸化合物、0.1wt%至5wt%的水面稳定剂、0.01wt%至0.1wt%的氟化物、0.1wt%至10wt%的基于硫酸盐的化合物以及以使得所述蚀刻剂组合物的总重量为100wt%的量包含的水。根据本发明构思的实施方案的蚀刻剂组合物可以用于蚀刻含铜和钼‑钛合金的金属膜以形成金属图案,或者用于制造薄膜晶体管衬底。
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公开(公告)号:CN104597728B
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201410592323.4
申请日:2014-10-29
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供一种剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法,该剥离液包含非质子性极性溶剂、胺类化合物及质子性极性溶剂。以剥离液的总重量为基准,所述剥离液可以包含1~90重量部的所述非质子性极性溶剂、1~10重量部的所述胺类化合物以及1~30重量部的所述质子性极性溶剂。利用所述剥离液能够在短时间剥离光刻胶,且能够减少线路及彩色滤光器等所遭受的损伤。
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公开(公告)号:CN103526206B
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201310136179.9
申请日:2013-04-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/4814
Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润,同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。
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公开(公告)号:CN103571495B
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201310319674.3
申请日:2013-07-26
IPC: C09K13/06 , H01L21/3213 , H01L21/465 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/465 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/32134 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
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公开(公告)号:CN104597728A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201410592323.4
申请日:2014-10-29
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供一种剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法,该剥离液包含非质子性极性溶剂、胺类化合物及质子性极性溶剂。以剥离液的总重量为基准,所述剥离液可以包含1~90重量部的所述非质子性极性溶剂、1~10重量部的所述胺类化合物以及1~30重量部的所述质子性极性溶剂。利用所述剥离液能够在短时间剥离光刻胶,且能够减少线路及彩色滤光器等所遭受的损伤。
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公开(公告)号:CN104451681A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410497650.1
申请日:2014-09-25
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
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公开(公告)号:CN101265579B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN200810085047.7
申请日:2008-03-14
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液,其保障了高的稳定性和工程裕度,能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢,所以能够确保稳定性和工程上的裕度,具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。
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公开(公告)号:CN102234805A
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN201110120139.6
申请日:2011-05-06
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有:过硫酸铵,0.1%~30%重量比有机酸,0.01%~5%重量比磷酸盐,以及唑类化合物。
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