公开(公告)号：CN103635608A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280030638.9

申请日：2012-06-15

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 具炳秀 ,  李明翰 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C23F1/18 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/10 ,  C23F1/18 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开一种使用于半导体装置的包含铜的金属膜蚀刻液组合物及使用其的蚀刻方法。本发明的金属膜蚀刻液组合物包含氟硼酸或氟硼酸和至少一种含氟化合物。利用根据本发明的蚀刻液组合物的包含铜的金属膜的蚀刻方法，在蚀刻时不仅不损伤下部的玻璃基板，而且可以一并蚀刻含铜多层金属膜，可以提高半导体装置的生产收率。本发明的蚀刻液组合物和利用其的蚀刻方法由于不使用硫酸盐，从而可以防止因错层及侵蚀造成的断路(Data Open)不良，另外，由于不使用有机酸能够进行蚀刻，从而具有可以解决与金属盐的析出问题，也可以得到图案微细化的优点。

公开(公告)号：CN103184453A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201310110330.1

申请日：2007-05-10

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李骐范 ,  曺三永 ,  金南绪 ,  具炳秀

IPC: C23F1/16 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。

公开(公告)号：CN101684408A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910205785.5

申请日：2009-09-11

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 具炳秀 ,  朴贵弘 ,  申贤哲 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C09K13/10

Abstract: 一种蚀刻剂组合物，包括：0.1-34wt％的过硫酸铵((NH 4 ) 2 S 2 O 8 )；0.1-9wt％的硝酸基化合物；0.1-10wt％的乙酸基化合物；0.2-5wt％的含氟基化合物；0.01-3wt％的含硼化合物；以及39-73wt％的水，但是不含唑基化合物。

公开(公告)号：CN101392375B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810168643.1

申请日：2008-09-17

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金南绪 ,  姜东浒 ,  李骐范 ,  曺三永

IPC: C23F1/16

Abstract: 提供了一种用于蚀刻形成薄膜晶体管-液晶显示装置(TFT-LCD)电极的金属层的蚀刻剂组合物。所述蚀刻剂组合物基于其总重量包含：55-75wt％的磷酸、0.75-1.99wt％的硝酸、10-20wt％的醋酸、0.05-0.5wt％的Mo蚀刻控制剂、0.02-3wt％的含硼化合物和余量的水。TFT-LCD用蚀刻剂组合物适合于单步法湿式蚀刻用于形成栅极、源极和漏极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层，而没有AlNd、Al和Mo的突出和底切，并且提供优异的锥形蚀刻剖面。另外，由于不使用干式蚀刻工艺，制造过程得到简化，产率得到提高，生产成本下降。进一步地，即使不使用诸如高氯酸盐的非环境友好型材料、导致蚀刻剂组合物使用寿命缩短的不稳定组分或侵蚀作为基板的玻璃的氟基化合物，也能够通过仅一次湿式蚀刻Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层而得到优异的锥形剖面。

公开(公告)号：CN101560058A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910134360.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 申贤哲 ,  具炳秀 ,  朴贵弘 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明公开一种可以同时清洗及蚀刻液晶显示装置用玻璃基板的组成物，具体地公开一种包含氟化物盐、无机酸、表面活性剂及水的蚀刻液组成物。若使用根据本发明的一实施例的蚀刻液，则可以同时进行清洗和蚀刻，由于容易调节蚀刻速度，可以制造希望厚度的玻璃基板，并且可以确保玻璃基板的膜均匀度、光透射性及色再现性。另外，不使用氢氟酸，从而可以确保废水处理及工序上的安全性。

公开(公告)号：CN1873054B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200610084694.7

申请日：2006-05-29

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李骐范 ,  曺三永 ,  申贤哲 ,  金南绪

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/16

Abstract: 本发明提供蚀刻组合物，采用所述组合物可以以下部膜Al-Nd或Mo不产生底切现象的方式通过单一工序对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT的栅极配线材料Al-Nd/Mo双层膜或Mo/Al-Nd/Mo三层膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥度，同时源极/漏极配线材料Mo单层膜也可以形成优异的轮廓。本发明的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物含有磷酸、硝酸、乙酸、磷酸盐阴离子表面活性剂和水。

公开(公告)号：CN101392375A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810168643.1

申请日：2008-09-17

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金南绪 ,  姜东浒 ,  李骐范 ,  曺三永

IPC: C23F1/16

Abstract: 提供了一种用于蚀刻形成薄膜晶体管－液晶显示装置(TFT－LCD)电极的金属层的蚀刻剂组合物。所述蚀刻剂组合物基于其总重量包含：55－75wt％的磷酸、0.75－1.99wt％的硝酸、10－20wt％的醋酸、0.05－0.5wt％的Mo蚀刻控制剂、0.02－3wt％的含硼化合物和余量的水。TFT－LCD用蚀刻剂组合物适合于单步法湿式蚀刻用于形成栅极、源极和漏极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层，而没有AlNd、Al和Mo的突出和底切，并且提供优异的锥形蚀刻剖面。另外，由于不使用干式蚀刻工艺，制造过程得到简化，产率得到提高，生产成本下降。进一步地，即使不使用诸如高氯酸盐的非环境友好型材料、导致蚀刻剂组合物使用寿命缩短的不稳定组分或侵蚀作为基板的玻璃的氟基化合物，也能够通过仅一次湿式蚀刻Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层而得到优异的锥形剖面。

公开(公告)号：CN102666780B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201080058576.3

申请日：2010-12-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴贵弘 ,  李期范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  崔正宪

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，是相对于本征半导体层有选择地蚀刻配置于电子元件的金属电极与所述本征半导体层之间的掺杂半导体层的蚀刻液，包括：过渡金属和/或过渡金属盐；以及氟酸和/或含氟无机盐。

公开(公告)号：CN101684408B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200910205785.5

申请日：2009-09-11

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 具炳秀 ,  朴贵弘 ,  申贤哲 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C09K13/10

Abstract: 一种蚀刻剂组合物，包括：0.1-34wt％的过硫酸铵((NH4)2S2O8)；0.1-9wt％的硝酸基化合物；0.1-10wt％的乙酸基化合物；0.2-5wt％的含氟基化合物；0.01-3wt％的含硼化合物；以及39-73wt％的水，但是不含唑基化合物。

公开(公告)号：CN101265579B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC: C23F1/18

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。