公开(公告)号：CN119463880A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411684732.7

申请日：2024-11-22

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 杨翠翠 ,  张庭 ,  贺兆波 ,  李金航 ,  武昊冉 ,  叶瑞 ,  欧阳克银 ,  许真 ,  董攀飞 ,  蒲帅

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/06 ,  C09K13/10

Abstract: 本发明涉及一种用于石英晶体的蚀刻液。所述蚀刻液按照质量百分比由以下组分组成，20％的氢氟酸、15％的硝酸、0.15‑0.7%的添加剂，其余部分为超纯水。所述四组分添加剂包括丁基萘磺酸钠、PE6400，1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐、4‑巯基丁酸。其中丁基萘磺酸钠防止蚀刻过程中产生的颗粒聚集和沉积，保持蚀刻液的清澈和均匀性。PE6400兼具亲水性和疏水性，起到助溶、分散、消泡的作用。二者协同可显著减少石英晶体蚀刻后残留的突起，降低粗糙度，使表面更加平整。1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐和4‑巯基丁酸协同可控制石英侧蚀，产生对称的V型结构。

公开(公告)号：CN119264908A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411395796.5

申请日：2024-09-30

Applicant: 上海盛剑微电子有限公司

Inventor： 张伟明 ,  聂航 ,  章学春 ,  李玉兴 ,  刘明辉 ,  朱旺

IPC: C09K13/10 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明公开了一种ITO蚀刻液、制备方法及使用方法，其中，按质量百分数计，所述ITO蚀刻液包括硼酸1.0wt％～5.00wt％，硅酸5.0wt％～20wt％，羟基乙叉二膦酸20wt％～30wt％，缓蚀剂0.1wt％～0.5wt％和余量的水。本发明提供的ITO蚀刻液，对ITO蚀刻速率较为稳定，且对铜没有腐蚀或者没有铜的侧刻现象发生。

公开(公告)号：CN118119686A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280068831.5

申请日：2022-10-06

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： M·伯杰罗帕夫里克 ,  C·巴列斯特罗斯

IPC: C09K13/08 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/10

Abstract: 本公开有关于一种蚀刻组合物，其可用于如从半导体基板上选择性地去除硅锗(SiGe)，作为多步骤半导体制程中的中间步骤。

公开(公告)号：CN117660963A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211095872.1

申请日：2022-09-08

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 张维棚 ,  刘兵

IPC: C23F1/16 ,  C09K13/08 ,  C09K13/10 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体蚀刻工艺领域，尤其涉及一种蚀刻组合物，包括酸，含氟化合物，氧化剂和去离子水，且不含有机溶剂。本发明的积极进步效果在于：一种用于硅片表面快速移除金属及非金属的蚀刻组合物，操作窗口较大，在半导体晶圆回收工艺中具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN115537203B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202211147974.3

申请日：2022-09-19

Applicant: OPPO广东移动通信有限公司

Inventor： 邱惊龙

IPC: C09K13/10 ,  G09F9/00

Abstract: 本申请公开了蚀刻液、玉砂显示面板及其制备方法以及电子设备。按质量百分比及，所述蚀刻液包括蚀刻原料，25％～35％，蚀刻原料为氟化氢钾；弱酸载体，13％～40％；活性剂，6％～16％；PH调节剂，2％～5％；表面活性剂，0.2％～0.5％；缓蚀剂，2％～5％；粘度调节剂，8％～18％；以及，水，15％～30％。由此，经此蚀刻液蚀刻的玻璃面板，表面可形成纳米级的超细蒙砂层，蒙砂层的粗糙度为0.05μm‑0.1μm，蒙砂晶型颗粒的跨度小于2.5μm，纳米级的微晶颗粒在比例面板上均匀分布，从而实现了哑光漫反射的效果，同时，可保留原玻璃的高透光性，在不影响显示图像画面清晰的前提下，有效地避免了反射光带来的危害。

公开(公告)号：CN116948648A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310795473.4

申请日：2023-06-30

Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司

Inventor： 侯军 ,  武文东 ,  赵晓莹 ,  田继升

IPC: C09K13/08 ,  H01L21/311 ,  C09K13/10

Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。复合功能剂是用聚丙烯酸和三唑类络合剂接枝的羟乙基纤维素。本发明的复合功能剂具有以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护铜和铝基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。

公开(公告)号：CN116240026A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211653629.7

申请日：2022-12-22

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 戈烨铭 ,  何珂 ,  郑武

IPC: C09K13/10 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液，其包含氟化氢、氟化氢铵、有机硼烷化合物、阴离子表面活性剂、pH调节剂和水，其中所述蚀刻液的pH为3‑4。

公开(公告)号：CN115537203A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211147974.3

申请日：2022-09-19

Applicant: OPPO广东移动通信有限公司

Inventor： 邱惊龙

IPC: C09K13/10 ,  G09F9/00

Abstract: 本申请公开了蚀刻液、玉砂显示面板及其制备方法以及电子设备。按质量百分比及，所述蚀刻液包括蚀刻原料，25％～35％，蚀刻原料为氟化氢钾；弱酸载体，13％～40％；活性剂，6％～16％；PH调节剂，2％～5％；表面活性剂，0.2％～0.5％；缓蚀剂，2％～5％；粘度调节剂，8％～18％；以及，水，15％～30％。由此，经此蚀刻液蚀刻的玻璃面板，表面可形成纳米级的超细蒙砂层，蒙砂层的粗糙度为0.05μm‑0.1μm，蒙砂晶型颗粒的跨度小于2.5μm，纳米级的微晶颗粒在比例面板上均匀分布，从而实现了哑光漫反射的效果，同时，可保留原玻璃的高透光性，在不影响显示图像画面清晰的前提下，有效地避免了反射光带来的危害。

公开(公告)号：CN115404077A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210587008.7

申请日：2022-05-26

Applicant: 易安爱富科技有限公司

Inventor： 吴正植 ,  金泰镐 ,  金起莹 ,  李明镐 ,  宋明根

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/10

Abstract: 本发明涉及一种硅蚀刻液组合物及其制备方法，尤其，涉及一种用于对硅绝缘膜选择性地蚀刻硅的组合物。根据本发明的蚀刻液组合物可以在暴露有氧化硅膜和硅的半导体表面提高硅的选择性蚀刻比。

公开(公告)号：CN112390537B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202011531322.0

申请日：2020-12-22

Applicant: 郑州恒昊光学科技有限公司

Inventor： 熊国祥 ,  石海亮 ,  熊钰坤

IPC: C03C15/00 ,  C09K13/10

Abstract: 本发明属于化学蚀刻技术领域，具体涉及一种玻璃蚀刻液及采用该蚀刻液制备具有绸缎效果的黑色玻璃的方法。所述玻璃蚀刻液，包括以下重量百分比的原料：氟化氢铵20‑25%、氟化钾5‑10%、硫酸10‑15%、硝酸8‑12%、盐酸5‑10%、硫酸铵3‑8%、三聚磷酸钠2‑5%、氟硅酸钠1‑3%、氯化锌2‑5%、烷基硫酸钠0.5‑1.5%、硼砂0.2‑0.5%、十二烷基苯磺酸钠1‑3%、淀粉5‑8%、树胶0.1‑0.3%、余量为水。本发明的蚀刻液可以在玻璃表面生成纳米级鹅卵石状微晶颗粒附着层，从而达到了玻璃蒙砂面犹如绸缎般丝滑柔润的效果。