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公开(公告)号:CN115836117A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202180020290.4
申请日:2021-03-09
IPC: C09J4/06
Abstract: 本发明提供一种光固化粘接性组合物、包含其固化层的层叠体以及基材加工方法,所述光固化粘接性组合物包括:单官能成分,包含单官能单体或低聚物;多官能成分,包含多官能单体或低聚物;光聚合引发剂;以及热分解性化合物。
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公开(公告)号:CN115836117B
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202180020290.4
申请日:2021-03-09
IPC: C09J4/06 , B32B37/12 , B32B7/12 , C08F2/44 , C08F2/50 , C08F220/14 , C09J133/04
Abstract: 本发明提供一种光固化粘接性组合物、包含其固化层的层叠体以及基材加工方法,所述光固化粘接性组合物包括:单官能成分,包含单官能单体或低聚物;多官能成分,包含多官能单体或低聚物;光聚合引发剂;以及热分解性化合物。
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公开(公告)号:CN116382046A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202211721994.7
申请日:2022-12-30
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于除去彩色光阻及绝缘膜的剥离液组合物,具体涉及一种剥离液组合物,包括:溶媒,包括含氮原子(N)的第一非质子性极性溶媒及与第一非质子性极性溶媒不同分子量的第二非质子性极性溶媒;乙二醇醚化合物;无机碱或其盐化合物;链型胺化合物;及烷基铵化合物。其在不损伤作为下部膜质的无机绝缘膜及各种金属配线的前提下,不仅可以快速去除彩色光阻,而且,还可以去除阴性及阳性有机绝缘膜。
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公开(公告)号:CN109112543A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810637712.2
申请日:2018-06-20
CPC classification number: C23F1/30 , C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L27/1244 , H01L29/7869 , H05K3/067 , H01L27/124 , H01L27/1259
Abstract: 一种无磷酸蚀刻组合物和一种形成布线的方法,所述组合物包括:大约40wt%至大约60wt%的有机酸化合物;大约6wt%至大约12wt%的二醇化合物;大约1wt%至大约10wt%的硝酸、硫酸或盐酸;大约1wt%至大约10wt%的硝酸盐化合物;以及水,所有的wt%是基于无磷酸蚀刻组合物的总重量。
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公开(公告)号:CN104451681B
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201410497650.1
申请日:2014-09-25
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
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公开(公告)号:CN109112543B
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN201810637712.2
申请日:2018-06-20
Abstract: 一种无磷酸蚀刻组合物和一种形成布线的方法,所述组合物包括:大约40wt%至大约60wt%的有机酸化合物;大约6wt%至大约12wt%的二醇化合物;大约1wt%至大约10wt%的硝酸、硫酸或盐酸;大约1wt%至大约10wt%的硝酸盐化合物;以及水,所有的wt%是基于无磷酸蚀刻组合物的总重量。
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公开(公告)号:CN109423648B
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN201811019029.9
申请日:2018-09-03
IPC: C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/02 , H01L21/306
Abstract: 提供了蚀刻剂组合物,包含10wt%至20wt%的过氧化氢、0.1wt%至2wt%的基于唑的化合物、0.1wt%至10wt%的无机酸化合物、0.1wt%至5wt%的水面稳定剂、0.01wt%至0.1wt%的氟化物、0.1wt%至10wt%的基于硫酸盐的化合物以及以使得所述蚀刻剂组合物的总重量为100wt%的量包含的水。根据本发明构思的实施方案的蚀刻剂组合物可以用于蚀刻含铜和钼‑钛合金的金属膜以形成金属图案,或者用于制造薄膜晶体管衬底。
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公开(公告)号:CN103571495B
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201310319674.3
申请日:2013-07-26
IPC: C09K13/06 , H01L21/3213 , H01L21/465 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/465 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/32134 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
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公开(公告)号:CN104451681A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410497650.1
申请日:2014-09-25
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
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