公开(公告)号：CN104064476A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310308392.3

申请日：2013-07-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  关谷洋纪 ,  佐佐木遥 ,  小谷和也 ,  田多伸光 ,  松村仁嗣 ,  井口知洋

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49866 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够通过抑制冷热循环引起的热膨胀以及热收缩来提高产品的可靠性的功率半导体装置的制造方法以及通过该制造方法制造的功率半导体装置。本实施方式涉及的功率半导体装置的制造方法，是包括表面具有导体层的基底基板以及安装于上述基底基板的半导体元件的功率半导体装置的制造方法，具有在上述导体层的表面形成硬化层的工序。

公开(公告)号：CN105742268A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510908670.8

申请日：2015-12-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷和也 ,  市仓优太 ,  田多伸光 ,  伊东弘晃 ,  大部利春 ,  小山泰平 ,  结城和明 ,  中泽洋介 ,  山本敦史 ,  大谷真人 ,  上田和宏 ,  井口知洋

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/10166 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49866

Abstract: 一种布线基板，具备：由氮化硅形成的、包含厚度为0.2mm以上且1mm以下的传热区域部分在内的绝缘基板部；以及层叠在传热区域部分上的、包含厚度1.5mm以上的由金属材料形成的焊盘部在内的布线层部。

公开(公告)号：CN104465579A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061293.4

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木遥 ,  久里裕二 ,  小谷和也 ,  山本敦史 ,  松村仁嗣

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B23K35/24

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L24/04 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/26152 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83206 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置，包含半导体元件、布线层以及接合层。所述布线层包含Cu。所述接合层包含第一合金，该第一合金以实质上均匀的组分在所述半导体元件与所述布线层之间设置，是Cu与Cu以外的第一金属的合金。所述第一合金的熔点比所述第一金属的熔点高。

公开(公告)号：CN102956514A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210282425.7

申请日：2012-08-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木遥 ,  山本敦史 ,  小谷和也 ,  久里裕二 ,  栂嵜隆 ,  北泽秀明

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: C22C9/02 ,  C22C28/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/488 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，通过通用性较高、能够得到良好的高温环境下的可靠性的方法进行半导体芯片的安装，能够进行半导体装置的高温动作。在安装基板与半导体芯片之间夹装如下的接合层，并在熔融层的熔点以上的温度下保持，通过液相扩散形成比熔融层熔点高的合金层，使安装基板与半导体芯片接合，上述接合层具有：含有从Cu、Al、Ag、Ni、Cr、Zr、Ti中选择的某种金属或其合金的接合支撑层；和夹着接合支撑层而层叠的、含有从Sn、Zn、In中选择的某种金属或由从该金属中选择的两种以上的金属构成的合金的熔融层，上述接合层至少在最外层形成有熔融层。

公开(公告)号：CN102598253A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980162417.5

申请日：2009-11-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷和也 ,  武田亮

IPC: H01L23/467 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/467 ,  F28F3/048 ,  H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20909 ,  H01L2924/00

Abstract: 散热器（1）具备基座（1A）、和在基座（1A）的一个面上设置的以亚毫米数量级的窄间距平行配置的多个散热叶片（1B）。多个散热叶片各自的厚度为亚毫米数量级，宽度方向的长度为60mm以下，高度为40mm以下。可以通过排列多台该散热器（1），并将各散热器（1）之间通过热输送器件（4）热连接，构成散热器组装体（5）。