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公开(公告)号：CN101083081A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710105453.0
申请日：2007-05-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B2005/3996
Abstract: 一种垂直通电型磁头，其包含：磁阻膜(1)，其包含固定层(15)、中间层(16)、自由层(17)；一对磁屏蔽(2，3)，其作为在所述磁阻膜(1)上方和下方的电极；一对偏置膜(5)，其通过绝缘膜(4)被设置在所述磁阻膜(1)的两侧，其中，在零外部场的情况下，所述固定层(15)的磁化方向与所述自由层(17)的磁化方向之间的角度θ被设置为5°≤θ＜90°，或偏置点被设置为5％≤BP＜50％。
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公开(公告)号：CN1595676A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410077156.6
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , G11B5/3983 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01L43/08
Abstract: 利用电流垂直平面(CPP)系统的双自旋阀类型的磁电阻效应元件，其中传感电流的流向与多个导电层的堆叠面垂直，该磁电阻效应元件包括包含自由层(5)和第一个钉扎层(7)的第一单元(U1)、包含与第一单元共享的自由层(5)和第二钉扎层(3)的第二单元(U2)、在第一单元(U1)中提供并限制传感电流的流量的第一电流控制层(9)、在第二单元(U2)中提供并限制传感电流的流量的第二电流控制层(8)。
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公开(公告)号：CN101325243A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810108891.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , H01F10/3259 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。
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公开(公告)号：CN100388358C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510091449.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/115
Abstract: 本发明涉及一种制造磁电阻元件的方法，该磁电阻元件具有磁性被钉扎层、磁性自由层、和包括设置在该磁性被钉扎层和该磁性自由层之间的绝缘层与穿入该绝缘层的电流路径的间隔层。该方法中形成间隔层的步骤包括：沉积形成金属路径的第一金属层、沉积第二金属层以转变为第一金属层上的绝缘层、执行用稀有气体的离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理、以及通过供应氧化气体或氮化气体将第二金属层转变为绝缘层。
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公开(公告)号：CN101097719A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126856.3
申请日：2007-06-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 鸿井克彦
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/39 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/02 , G11B5/1276 , G11B2005/0002 , H01L43/08
Abstract: 一种磁轭类型磁头及磁盘装置。为了从介质(M)读出磁信息，介质(M)中信息被磁记录在线性记录方向上，涉及：主磁极(5A和5B)，其安装在与所述线性记录方向垂直的平面上，且具有面向所述介质的相对表面、饱和磁通密度(Bs1)和体积(V1)；子磁轭(6)，其通过连接到所述主磁极(5A和5B)而在所述平面上形成，并且在垂直于所述线性记录方向的方向上具有比在垂直于所述介质(M)的主表面的方向上的长度(SYH)更长的长度(SYW)、并具有饱和磁通密度(Bs2)和体积(V2)，其积(Bs2V2)大于所述饱和磁通密度(Bs1)和体积(V1)的乘积；以及，磁致电阻效应膜(8)，其形成于所述子磁轭(6)和所述相对的表面之间，并且与所述主磁极(5A和5B)邻接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689239B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710158433.3
申请日：2017-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
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公开(公告)号：CN107689239A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710158433.3
申请日：2017-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1673
Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
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公开(公告)号：CN106558322A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610031179.6
申请日：2016-01-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/315 , G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/235 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B5/3169 , G11B5/3173 , G11B5/4853 , G11B2005/0024 , G11B5/3163 , G11B5/11 , G11B5/4806
Abstract: 本发明提供可实现稳定的高频辅助且实现高记录密度化的磁头、具备其的盘装置及磁头的制造方法。磁头具备：空气支撑面(43)；第1面，其设置有包括第1连接焊盘及第2连接焊盘的多个连接焊盘；一对第2面，其设置有与第1连接焊盘及第2连接焊盘分别连接、用于对元件通电的一对连接端子；主磁极(60)，其具有延伸到空气支撑面的前端部，产生记录磁场；写屏蔽件(62)，其与主磁极的前端部隔着写间隙相对，与主磁极一起构成磁芯；高频振荡器(65)，其在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽件之间。高频振荡器具有旋转注入层(65a)及振荡层(65c)，至少振荡层相对于空气支撑面，与主磁极及写屏蔽件相比，向从空气支撑面离开的方向后退。
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公开(公告)号：CN106486141A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510924011.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/314 , G11B5/3153 , G11B5/3176 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式提供实现稳定的高频辅助、能够进行高记录密度化的磁记录头及具备其的盘装置。实施方式的磁记录头具备：空气支撑面(43)；具有延伸到空气支撑面的前端部(60b)的、产生记录磁场的主磁极(60)；隔着写入间隙与主磁极的前端部对置的写入屏蔽件(62)；具有层叠的旋转注入层及振荡层(65c)的、在写入间隙内设置于主磁极与写入屏蔽件之间的高频振荡器(65)，其中振荡层及旋转注入层分别具有沿着与空气支撑面交叉的方向延伸的层叠面；和设置于主磁极及写入屏蔽件的至少一方的、与高频振荡器对置且相对于与高频振荡器的层叠面交叉的方向具有负的磁各向异性的磁性体层(82)。
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公开(公告)号：CN105989856A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510090534.2
申请日：2015-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式得到记录特性良好的高频辅助磁头及磁记录再现装置。实施方式涉及的高频辅助磁头具有旋转扭矩振荡元件，该旋转扭矩振荡元件包含直接形成于主磁极上的、含有从W、Mo、Re、Os及Ir选择的元素的非磁性的分离种子层/SIL/IL/FGL。
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