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公开(公告)号：CN104716105A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410453745.3
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置可以抑制在半导体封装体的表面形成电磁屏蔽时，在半导体封装体的外缘产生屏蔽材料的毛边，且抑制半导体封装体的背面的端子间的短路。本实施方式的半导体装置包括基板。半导体芯片配置于基板的第1面上。密封材料被覆半导体芯片。导电膜被覆密封材料的上表面及侧面。在基板的与第1面相反侧的第2面的外缘设置着阶差、斜面或槽。
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公开(公告)号：CN104716079A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410444602.6
申请日：2014-09-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67265 , C23C14/54 , C23C14/56 , H01L21/67259 , H01L21/67288 , H01L23/552 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提供一种能够可靠性良好地进行电磁波屏蔽的半导体制造装置。半导体制造装置(1)包括：上盖，在将搭载着未屏蔽的半导体封装体的托盘载置于搬送载具的状态下，相比半导体封装体的上表面配置于更上方；及位移检测部，检测半导体封装体接触上盖的下表面并将上盖抬升至上方的异常。
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公开(公告)号：CN104716053A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410452584.6
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/561 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2223/54406 , H01L2223/5442 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/32225 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种提高屏蔽层与密封树脂层的密接性的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：将半导体芯片搭载在配线基板；以将所述半导体芯片密封的方式形成含有无机填充材料的密封树脂层；通过干式蚀刻去除所述密封树脂层的一部分，直至所述无机填充材料的一部分露出为止；以及以至少覆盖所述密封树脂层的方式形成屏蔽层。
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