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公开(公告)号：CN101506301A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031216.2
申请日：2007-08-21
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的绝缘性浇铸成型树脂组合物，其中含有：每1个分子中具有2个以上环氧基的环氧化合物；含选自二氧化硅、氧化铝、莫来石的1种以上物质的微粒子；含选自层状硅酸盐化合物、氧化物、氮化物的1种以上物质构成的纳米粒子；以及弹性体粒子。
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公开(公告)号：CN100358063C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510056186.3
申请日：2005-03-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H1/02
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 一种复合触点，它包括第一层和第二层，所述第一层含有Cu-Cr混合物，其中平均粒径为0.1-150微米的Cr粉或粒子，与平均粒径为0.1-150微米的Cu粉或粒子，以这样的比例混合起来：15-60重量%Cr，余量为Cu。所述第二层含有Cu。第一层与第二层彼此结合起来，同时，第一层的Cu从第一层与第二层之间的界面进入第二层20-100微米的范围，第二层的Cu从该界面进入第一层20-100微米范围内。
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公开(公告)号：CN1674180A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510056186.3
申请日：2005-03-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H1/02
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 一种复合触点，它包括第一层和第二层，所述第一层含有Cu－Cr混合物，其中平均粒径为0.1－150微米的Cr粉或粒子，与平均粒径为0.1－150微米的Cu粉或粒子，以这样的比例混合起来：15－60重量％Cr，余量为Cu。所述第二层含有Cu。第一层与第二层彼此结合起来，同时，第一层的Cu从第一层与第二层之间的界面进入第二层20－100微米的范围，第二层的Cu从该界面进入第一层20－100微米范围内。
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公开(公告)号：CN1114220C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN96191162.X
申请日：1996-09-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/66
CPC classification number: H01H33/6644 , H01H1/0206 , H01H33/185 , H01H33/6645
Abstract: 本发明公开了一种真空阀，在其电极中心外加磁通密度Bct，该磁通密度在轴向磁通密度Bcr的0.75～0.9倍的范围内，该轴向磁通密度Bcr是相对于各断路电流在电极间的电弧电压为最低时的轴向磁通密度。并且，从电极中心向电极外周部使轴向磁通密度单调增加。在这里，外加产生最低电弧电压Vmin的轴向磁通密度Bcr的半径位置在电极半径20～40%的范围内。轴向磁通密度从该范围更向外部走时进一步单调增加，在电极半径的70%以上的外面的区域取得极大值BP。该极大值BP在电极中心磁通密度Bct的1.4～2.4倍的范围内。另外，在电极外周区域轴向磁通密度为最大的半径位置处的轴向磁通密度在电极圆周方向的分布呈凹凸变化。该在圆周方向的轴向磁通密度在全周内至少呈现2个峰值地进行分布。在这里，圆周方向的磁通密度分布的最大值Bmax与最小值Bmin在电极中心部的轴向磁通密度Bct的1.4～2.4倍的范围内。
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公开(公告)号：CN1264142A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN00101829.9
申请日：2000-02-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , C23C14/00 , C22C9/00
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 作为接点,采用{W－CuxSb－余量Cu}合金;作为该合金中的耐电弧成分,采用粒径为0.4～9μm并且含量为65～85%的W或WMo;作为辅助成分,采用粒径为0.02～20μm并且含量为0.09～1.4%的CuxSb,x=1.9～5.5,平均粒子间距为0.2～300μm。另外,作为导电成分,采用Cu、CuSb固溶体,在该CuSb固溶体中存在0.5%以下呈固溶状态的Sb。结果使得,在受到电弧作用时,能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散,抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂,减轻W粒子的飞散脱落,减少接点表面的熔化和飞散损伤,并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1213153A
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：CN98120616.6
申请日：1998-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J21/00
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 本发明是把真空阀的接点坯料制成由Cu等高导电性成分和由Cr构成的粒径在0.1～150μm范围里的颗粒至少占90容积%的耐弧性成分构成,而且使这种接点坯料的900℃时热膨胀率α900和50℃时的热膨胀率α50的差与900℃时的热膨胀率α900的比率[(α900－α50)×100/(α900)]为0.8%以上、12%以下。由此,能抑制经钎焊工序后,在Cr颗粒和Cu基体的界面上沟的生成,能使静耐压特征、接触电阻特性稳定,还能使切断循征稳定。
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公开(公告)号：CN1062811A
公开(公告)日：1992-07-15
申请号：CN91111927.2
申请日：1991-11-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203 , H01H1/0233 , H01H33/664
Abstract: 一种用于真空断路器的触头材料包括：(a)从包括Ag，Ca及其结合的一组成分中选出的一种高导电成分，占体积的25％—70％，以及(b)占体积的75％—30％的一种耐弧成分，其中包括由Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Mo，W及其结合构成的族中选出的一种元素的碳化物。其中上述耐弧成分的平均颗粒尺寸为0.3至3微米，该耐弧成分的平均颗粒距离在0.1至1微米的范围内。构成真空断路器触头的触头材料具有改进的耐磨性，大电流遮断特性，断路特性以及低温升特性。
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公开(公告)号：CN101010755B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580029772.7
申请日：2005-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01F7/16
CPC classification number: H01F7/1615 , H01F7/081 , H01F2007/1692
Abstract: 本发明提供减少磁通泄漏、高效率的电磁致动器。电磁致动器具有：第1线圈31；在第1线圈31的中心轴上移动的可动件2；覆盖前述第1线圈31的上下面及外周面的第1固定件11；以及将可动件2在其可动区间的终端固定闭锁的永磁体15。设置与第1固定件11连续、并控制来自永磁体15的磁通的第2固定件12。通过设置该第2固定件12，在将固定闭锁状态的可动件2进行释放时，不直接对永磁体15进行反向励磁，永磁体15不进行消磁。
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公开(公告)号：CN101970574A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200880126731.3
申请日：2008-08-04
CPC classification number: H05K1/0373 , C08G59/42 , C08K3/346 , H01B3/40 , H05K1/0256 , H05K1/0257 , H05K2201/0209
Abstract: 本发明以一种简便的方法制造具有优异的耐局部放电性、且密度小的耐局部放电性树脂组合物。其中，通过离子交换处理在层状粘土矿物的层间插入有机化合物，由此赋予层状粘土矿物以对于极性溶剂及非极性溶剂中的至少任一种溶剂的溶胀性，使被赋予了溶胀性的层状粘土矿物在包含极性溶剂或非极性溶剂的溶胀用溶剂中溶胀，然后，混合环氧树脂进行混炼，从得到的包含环氧树脂、层状粘土矿物、及溶胀用溶剂的混合物中除去溶胀用溶剂，在该包含环氧树脂和层状粘土矿物的混合物中添加环氧树脂用固化剂进行混合。在包含由此制造的耐局部放电性树脂组合物的固化物的耐局部放电性绝缘材料中，在具有三维网状结构的环氧树脂的分子链(1)中致密分散有包含层状粘土矿物构成的无机纳米粒子(2)。
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公开(公告)号：CN1163926C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00101829.9
申请日：2000-02-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , C23C14/00 , C22C9/00
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 作为接点，采用{W-CuxSb一余量Cu}合金；作为该合金中的耐电弧成分，采用粒径为0.4～9μm并且含量为65～85%的W或WMo；作为辅助成分，采用粒径为0.02～20μm并且含量为0.09～1.4%的CuxSb，x＝1.9～5.5，平均粒子间距为0.2～300um。另外，作为导电成分，采用Cu、CuSb固溶体，在该CuSb固溶体中存在0.5%以下呈固溶状态的Sb。结果使得，在受到电弧作用时，能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散，抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂，减轻W粒子的飞散脱落，减少接点表面的熔化和飞散损伤，并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。
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