公开(公告)号：CN101378105A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810214664.2

申请日：2008-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三石严 ,  布上真也 ,  服部靖

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够实现具有高发光效率的白色光源的发光装置。其具有：封装部(1)，具有搭载半导体发光元件的第1部分和其周围的第2部分；半导体发光元件(3)，被搭载在所述封装部的所述第1部分上，发出在近紫外区域具有发光峰值的光；透明树脂层(5)，覆盖所述半导体发光元件被设置在所述封装部的所述第1部分及所述第2部分上，在相对于所述第1部分和第2部分垂直的剖面上的外周为向上凸的曲线状；和层叠体，包括设置在所述透明树脂层之上具有到达所述第2部分的端面、并依次形成为向上凸的曲线状的红色荧光体层(6)、黄色荧光体层(7)、绿色荧光体层(8)和蓝色荧光体层(9)，所述黄色荧光体层，顶部的厚度比所述端面的厚度厚。

公开(公告)号：CN114467154A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202180005114.3

申请日：2021-02-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 萩原将也 ,  江口朋子 ,  阿尔贝萨惠子 ,  服部靖

IPC: H01B12/06 ,  H01B13/00 ,  H01F6/06 ,  H01R4/68

Abstract: 根据实施方式所述的超导层的连接结构具备：第一超导层；第二超导层；以及设置在第一超导层和第二超导层之间的连接层，所述连接层包含含有稀土元素(RE)、钡(Ba)、铜(Cu)和氧(O)的晶粒，所述晶粒具有包含双峰分布的粒径分布。

公开(公告)号：CN104910903A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510105500.6

申请日：2015-03-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈田葵 ,  加藤雅礼 ,  服部靖

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开内容的实施方案提供一种磷光体，其在峰波长范围250nm到500nm的光激发下展现出在500nm到600nm波长范围内的发射峰。这种磷光体呈中值大小是包括端点的5μm到40μm的颗粒形式，具有大于70％的发光效率，并且具有由下式(1)表示的组成：((SrpM1-p)1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw (1)。在所述式中，M是至少一种碱土金属，并且p、x、y、z、u和w分别满足以下条件：0≤p≤1，0

公开(公告)号：CN104164235A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410060927.4

申请日：2014-02-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈田葵 ,  加藤雅礼 ,  K·阿尔贝萨 ,  福田由美 ,  三石严 ,  服部靖

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7715 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7721 ,  F21K9/64 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一实施方案，当用发射峰在250-500nm波长范围内的光激发时，该磷光体显示发光峰在500-600nm的波长范围内。该磷光体具有如(M1-xCex)2yAlzSi10-zOuNwBs所示的组成（M表示Sr，部分Sr可用选自Ba、Ca和Mg的至少之一取代；x、y、z、u、w和s满足0

公开(公告)号：CN101276870B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810082459.5

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 波多腰玄一 ,  斋藤真司 ,  服部靖 ,  布上真也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，能够降低串联电阻，可以使光取出效率提高。本发明的半导体发光器件，包括：活性层(14)，放射波长λ的光；第1导电型的第1半导体层(10、12)，具有设置在活性层(14)上、与活性层(14)相接的第1主面，与第1主面对置的第2主面，及与第2主面相接、与平行于第2主面的面之间具有45度以上且小于90度的斜角的侧面；第2导电型的第2半导体层(18)，夹着活性层(14)与第1半导体层(10、12)对置；及第1电极(20)，夹着第2半导体层(18)与活性层(14)对置；活性层(14)与第1电极(20)间的距离d依存于波长λ及第2半导体层(18)的折射率n。

公开(公告)号：CN101226978A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810004026.8

申请日：2008-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  斋藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一 ,  橘浩一 ,  信田直美 ,  三石严

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  Y10S362/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。

公开(公告)号：CN1983655A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610169471.0

申请日：2006-12-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本雅裕 ,  服部靖 ,  信田直美 ,  金子桂 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种发光器件，其包括：衬底；发光元件，配置为发射具有第一波长的光，所述发光元件具有电极对且形成在所述衬底上方；金属层，置于所述衬底和发光元件之间且具有平面结构；以及形成在所述金属层上的波长转换层。所述金属层的周边至少部分地由多个凸出部分和多个凹入部分构成。所述多个凸出部分位于所述发光元件的外部。所述波长转换层吸收从所述发光元件发射的光的至少部分并转换所述第一波长，由此发射具有与所述第一波长的波长不同的第二波长的光。

公开(公告)号：CN104576893A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410410761.4

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  加藤雅礼 ,  石田邦夫 ,  布上真也 ,  福田由美

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/504 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  F21K9/64 ,  H01L2224/48091 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本实施方式的发光装置具备发出420nm以上且445nm以下的峰值波长的光的发光元件、发出485nm以上且小于530nm的峰值波长的光的第1荧光体、发出530nm以上且小于580nm的峰值波长的光的第2荧光体、和发出600nm以上且小于650nm的峰值波长的光的第3荧光体，发出色温度为4600K以上且5400K以下的光，光的发光光谱在450nm以上且470nm以下的波长下具有光强度的极小值，极小值是比极小值更长波长侧的最大光强度的60％以下。

公开(公告)号：CN104046358A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410075958.7

申请日：2014-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈田葵 ,  加藤雅礼 ,  阿尔贝萨惠子 ,  福田由美 ,  三石岩 ,  服部靖

IPC: C09K11/86 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/772 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7721 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种荧光物质和采用其的光发射器件。本实施方案提供一种具有高光效率的黄色发光物质。该荧光物质由式（1）表示，（M1-xREx）2yAlzSi10-zOuNwClα （1）（式中，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Li、Na和K中的至少一种元素），且其在250-500nm的光的激励时发出在500-600nm具有峰的发光。

公开(公告)号：CN103311413A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310063120.1

申请日：2013-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  冈田葵 ,  平松亮介 ,  石田邦夫 ,  加藤雅礼

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/79

CPC classification number: H05B33/12 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种兼顾高演色性、高发光效率的白色发光装置。实施方式的白色发光装置具备：发光元件，在大于等于430nm小于等于470nm的波长区域具有峰值波长；第1荧光体，发出大于等于525nm小于等于560nm的第1峰值波长的光；第2荧光体，发出比第1峰值波长长的第2峰值波长的光；第3荧光体，发出比第2峰值波长长的、大于等于620nm小于等于750nm的第3峰值波长的光。而后，第1荧光体和第2荧光体具有MSiαOβNγ的组成，在将第1峰值波长设成λ1（nm）、将第2峰值波长设为λ2（nm）的情况下，1100≤λ1+λ2，并且λ2-λ1≤60。