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公开(公告)号:CN1591923A
公开(公告)日:2005-03-09
申请号:CN200410079795.6
申请日:2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层),将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法,提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件,其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体,然后将二者结合的方法。
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公开(公告)号:CN1381906A
公开(公告)日:2002-11-27
申请号:CN02118697.9
申请日:2002-04-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01L25/075
CPC classification number: H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L33/38 , H01L33/483 , H01L33/501 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01067 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的是在用树脂密封半导体发光元件的发光装置中,提供一种使可靠性和长期稳定性提高,可搭载数个芯片的小型化发光装置。通过将开口部形成略呈椭圆形状或略呈偏平圆形状,可在有限空间内有效配置数个芯片。在焊接金属线部位和固定基片部位之间设有切口,从而能防止粘接剂溢出,消除焊接不良现象。
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公开(公告)号:CN1380703A
公开(公告)日:2002-11-20
申请号:CN02106080.0
申请日:2002-04-09
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/501 , H01L33/54 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光装置,它能稳妥且容易地使光的混合比达到所需平衡并具有稳定的发光特性。该发光装置具有能发出在小于400nm的波长有强峰的初次光的发光元件(106)、覆盖发光元件的硅氧烷树脂(111)和硅氧烷树脂是含的吸收初次光后发出可见光的荧光体(110),即使发光元件波长偏移,色调也不变化。
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公开(公告)号:CN100492679C
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN02106080.0
申请日:2002-04-09
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/501 , H01L33/54 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光装置,它能稳妥且容易地使光的混合比达到所需平衡并具有稳定的发光特性。该发光装置具有能发出在小于400nm的波长有强峰的初次光的发光元件(106)、覆盖发光元件的硅氧烷树脂(111)和硅氧烷树脂是含的吸收初次光后发出可见光的荧光体(110),即使发光元件波长偏移,色调也不变化。
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公开(公告)号:CN1269229C
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN01122064.3
申请日:2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层),将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法,提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件,其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体,然后将二者结合的方法。
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公开(公告)号:CN1797766A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200510127175.X
申请日:2002-04-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/16 , H01L25/075 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L33/38 , H01L33/483 , H01L33/501 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01067 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种发光装置,它具有:第1引线,第2引线,固定在上述第1引线上的第1半导体发光元件,固定在上述第1引线上的半导体元件,连接上述第1半导体发光元件和第2引线的第1金属线,连接上述半导体元件和第2引线的第2金属线,覆盖上述第1半导体发光元件、上述半导体元件、上述第1引线的至少一部分、上述第2引线的至少一部分、上述第1金属线、上述第2金属线的硅酮树脂,所述硅酮树脂的硬度以JISA值表示,在50以上。
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公开(公告)号:CN1093988C
公开(公告)日:2002-11-06
申请号:CN97118235.3
申请日:1997-09-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L2224/0603 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01025 , H01L2924/01039 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02276 , H01S5/0261 , H01S5/042 , H01S5/0422 , H01S5/32341 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有高抗浪涌能力和高可靠性的半导体发光二极管,其结构包括形成在发光元件的阳极和阴极之间的附加电容。具体地,在兰宝石衬底上有n型GaN半导体层、GaN基半导体有源层、和p型GaN基半导体层的LED中,阴极形成在n型GaN半导体层上,并且电极布线从p型GaN基半导体层的顶部延伸以形成电容。
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公开(公告)号:CN1176497A
公开(公告)日:1998-03-18
申请号:CN97118235.3
申请日:1997-09-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L2224/0603 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01025 , H01L2924/01039 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02276 , H01S5/0261 , H01S5/042 , H01S5/0422 , H01S5/32341 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有高抗浪涌能力和高可靠性的半导体发光二极管,其结构包括形成在发光元件的阳极和阴极之间的附加电容。具体地,在蓝宝石衬底上有n型GaN半导体层、GaN基半导体有源层、和p型GaN基半导体层的LED中,阴极形成在n型GaN半导体层上,并且电极布线从p型GaN基半导体层的顶部延伸以形成电容。
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