半导体发光器件
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1591923A

    公开(公告)日:2005-03-09

    申请号:CN200410079795.6

    申请日:2001-03-09

    Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层),将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法,提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件,其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体,然后将二者结合的方法。

    半导体发光元件
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1367542A

    公开(公告)日:2002-09-04

    申请号:CN02105300.6

    申请日:2002-01-25

    CPC classification number: H01L33/08 H01L27/15

    Abstract: 提供一种半导体发光元件,不需要复杂的制造工序和制造技术就可大幅度提高光取出效率。该半导体发光元件,具有:活性层(通过注入电流产生第一发光);吸收发光部(吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光)。所述第一发光的中心波长和所述第二发光的中心波长之差,在其混合光的发光光谱不丧失单峰性的范围内或在第一发光L1的光谱的半值宽度的0.9倍以下的范围内。

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