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公开(公告)号：CN1269229C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01122064.3
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。
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公开(公告)号：CN1450667A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03110224.7
申请日：2003-04-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高亮度半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，具有以下步骤：在具有第1面和与第1面相对且面积比上述第1面小的第2面的GaP衬底的上述第1面上，形成发射能透过上述GaP衬底的波长λ的光的发光层；在上述GaP衬底，形成朝上述第2面变窄、相互以大致相等的角度倾斜的多个侧面；及在上述多个侧面形成高度不小于0.1λ、不大于3λ的多个凹凸。还提供一种通过该方法得到的半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN100541836C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200410079795.6
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1722481A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510079000.6
申请日：2005-06-22
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 绀野邦明
IPC: H01L33/00 , H01L23/36 , H01L23/367
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , Y10S257/924 , H01L2924/00014
Abstract: 介绍了一种半导体发光元件的封装。该封装包括：具有杯状凹部的第一金属基板；具有第一杯状开口、设置在第一金属基板上的绝缘部件；和具有第二杯状开口、设置在绝缘部件上并且与第一金属基板电绝缘、在内表面中具有空腔的第二金属基板。
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公开(公告)号：CN1322018A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：CN01122064.3
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层),将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法,提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件,其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体,然后将二者结合的方法。
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公开(公告)号：CN100423304C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510079000.6
申请日：2005-06-22
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 绀野邦明
IPC: H01L33/00 , H01L23/36 , H01L23/367
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , Y10S257/924 , H01L2924/00014
Abstract: 介绍了一种半导体发光元件的封装。该封装包括：具有杯状凹部的第一金属基板；具有第一杯状开口、设置在第一金属基板上的绝缘部件；和具有第二杯状开口、设置在绝缘部件上并且与第一金属基板电绝缘、在内表面中具有空腔的第二金属基板。
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公开(公告)号：CN1331244C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03110224.7
申请日：2003-04-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高亮度半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，具有以下步骤：在具有第1面和与第1面相对且面积比上述第1面小的第2面的GaP衬底的上述第1面上，形成发射能透过上述GaP衬底的波长λ的光的发光层；在上述GaP衬底，形成朝上述第2面变窄、相互以大致相等的角度倾斜的多个侧面；及在上述多个侧面形成高度不小于0.1λ、不大于3λ的多个凹凸。还提供一种通过该方法得到的半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN1591923A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410079795.6
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。
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