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公开(公告)号：CN1237628C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN01135998.6
申请日：2001-10-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0079 , H01L33/30
Abstract: 提供一种半导体发光元件及其制造方法。在使用GaP基板的半导体发光元件中，使GaP基板(1)和发光层(7)借助于p-InGaP构成的第一接合层(2)和由p-GaP构成的第二接合层(3)接合起来。由此，在用热处理使GaP基板(1)和发光层(7)接合时，可在500～700℃的温度下热处理，所以可减少发光层(7)的损坏，而且可避免工作电压的上升。
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公开(公告)号：CN1331244C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03110224.7
申请日：2003-04-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高亮度半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，具有以下步骤：在具有第1面和与第1面相对且面积比上述第1面小的第2面的GaP衬底的上述第1面上，形成发射能透过上述GaP衬底的波长λ的光的发光层；在上述GaP衬底，形成朝上述第2面变窄、相互以大致相等的角度倾斜的多个侧面；及在上述多个侧面形成高度不小于0.1λ、不大于3λ的多个凹凸。还提供一种通过该方法得到的半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN1351384A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN01135998.6
申请日：2001-10-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0079 , H01L33/30
Abstract: 在使用GaP基板的半导体发光元件中,使GaP基板1和发光层7借助于p－InGaP构成的第一接合层2和由p－GaP构成的第二接合层3接合起来。由此,在用热处理使GaP基板1和发光层7接合时,可在500～700℃的温度下热处理,所以可减少发光层7的损坏,而且可避免工作电压的上升。
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公开(公告)号：CN1450667A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03110224.7
申请日：2003-04-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高亮度半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，具有以下步骤：在具有第1面和与第1面相对且面积比上述第1面小的第2面的GaP衬底的上述第1面上，形成发射能透过上述GaP衬底的波长λ的光的发光层；在上述GaP衬底，形成朝上述第2面变窄、相互以大致相等的角度倾斜的多个侧面；及在上述多个侧面形成高度不小于0.1λ、不大于3λ的多个凹凸。还提供一种通过该方法得到的半导体发光元件。
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