公开(公告)号：CN1223470A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98124908.6

申请日：1998-11-13

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  上本康裕 ,  十代勇治 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507

Abstract: 半导体器件含有:一硅基底;其中的一MOS半导体器件,该器件最外层表面上有一硅化物区;一覆盖该器件的第一绝缘膜;一在第一绝缘膜上的电容器元件,该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜,该膜包含铁电材料;一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜;一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔;一第二绝缘膜上的互连层,该层使MOS器件与电容器元件电连接,互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。

公开(公告)号：CN1183647A

公开(公告)日：1998-06-03

申请号：CN97119623.0

申请日：1997-09-26

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 田恭博 ,  中尾圭策 ,  井上敦雄 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G11C29/50016 ,  G11C11/22 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5002

Abstract: 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中,求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式,t1=t2m,而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。

公开(公告)号：CN1148262A

公开(公告)日：1997-04-23

申请号：CN96107136.2

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  吾妻正道

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/92

Abstract: 本发明揭示一种内装以大介电常数电介质或强电介质为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件及其制造方法中，包括将电容绝缘膜(6)的烧结工序的烧结温度保持在650℃，利用以5℃/分或10℃/分为到达烧结温度的升温率进行烧结，形成结晶粒(7)的平均粒径为12.8nm、粒径离散的标准偏差几乎为2.2nm的结晶大小的厚度约185nm的Ba0.7Sr0.3TiO3组成的电容绝缘膜(6)。提供了可靠性好的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1103116C

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN96192611.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  拉里·D·麦克米兰 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  迈克尔·C·斯科特

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  C30B7/00 ,  C30B29/68 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 由溶剂中的液体聚烷氧基化的金属复合物形成的前体溶液(P22)被涂布到基片上形成金属氧化物薄膜(P26)。液体薄膜在空气中在高至500℃的温度下烘烤(P28)，同时用波长为180nm-300nm的UV进行辐射。薄膜在提高的温度下二次烘烤，同时在一次或二次烘烤进行UV辐射。然后，薄膜在700℃-850℃的温度下退火(P32)以产生薄膜固体金属产品。或者，对液体前体进行UV辐射，薄膜可以用UV辐射退火，或对前体、在烘烤之前或之后对薄膜结合使用UV辐射和/或UV退火。

公开(公告)号：CN1212734A

公开(公告)日：1999-03-31

申请号：CN97192815.0

申请日：1997-03-04

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器工业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿劳霍

IPC: C23C26/02 ,  C23C18/14

CPC classification number: H01L21/02197 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  B05D3/062 ,  B05D3/065 ,  C23C8/10 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/314 ,  H05K3/105

Abstract: 一个基体(5)位于沉积室(2)中,该基体确定了基体平面。一个阻隔板(6)置于基体之上,与基体相互隔开并平行,在与所说基体平行的平面上的所说阻隔板的面积与在所说基本平面上的所说基体的面积基本相同。阻隔板的平整度的容许偏差为所说阻隔板和所说基体之间平均距离的5%。产生一种雾气(66),使其在一缓冲室(42)中沉降,通过1微米的过滤器(33)过滤,流入基体与阻隔板之间的沉积室中以在基体上沉积一液体层。该液体经干燥在基体上形成一固体物质的薄膜(1130),后者随后被加入到集成电路(1110)的一个电子元件(1112)中。

公开(公告)号：CN1127755C

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN96192642.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  塞姆特里克斯公司

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  拉里·D·麦克米兰

IPC: H01L21/3205 ,  C04B35/622

CPC classification number: C23C16/448 ,  C04B35/62227 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 使用金属烷氧羧酸盐基液状前体溶液构成包含具有用超点阵生成体层有序化的分立的氧八面体层(124)和(128)的一种类型的混合层状超点阵材料(112)的铁电装置(100)。前体溶液包含多种以有效量生成层状超点阵材料的金属组分。这些金属组分被混合以包含能形成A/B层的A/B部分，能形成钙钛矿样AB八面体层(128)的钙钛矿样AB层部分，和能形成超点阵生成体层(116)的超点阵生成体部分。前体以液状形式置于基片上并退火以生成层状超点阵材料。