公开(公告)号：CN1241036A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN99109287.2

申请日：1999-06-25

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  佐佐井洋一 ,  十代勇治 ,  野间淳史

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,在覆盖衬底11上的晶体管17的绝缘膜19的接触孔19a中,撇开该接触孔19a的内部和上部,在其壁面和漏极区15上方形成有由铱构成的、膜厚约为0.1μm的底层导电膜20;在接触孔19a的内部和上部填充有铂而形成了插塞21。在绝缘膜19的接触孔19a上,形成有与底层导电膜20及插塞21的上端面接触并包括由铂构成的下部电极25、由SrBi2Ta2O9构成的电容绝缘膜26以及由铂构成的上部电极27的电容元件28。

公开(公告)号：CN1223470A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98124908.6

申请日：1998-11-13

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  上本康裕 ,  十代勇治 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507

Abstract: 半导体器件含有:一硅基底;其中的一MOS半导体器件,该器件最外层表面上有一硅化物区;一覆盖该器件的第一绝缘膜;一在第一绝缘膜上的电容器元件,该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜,该膜包含铁电材料;一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜;一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔;一第二绝缘膜上的互连层,该层使MOS器件与电容器元件电连接,互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。