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公开(公告)号：CN100343232C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN02823446.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 和光纯药工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D487/04 , G03F7/039
CPC classification number: C07D209/48 , C07D487/04 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/121
Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物，使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法，进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体，例如耐热性高分子化合物，感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N-羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物，即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物：[式中，R，A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN1320602C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03157733.4
申请日：2003-08-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30
CPC classification number: G03F7/2043 , G03F7/0045 , G03F7/2041 , Y10S438/948 , Y10S438/949
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(101)后，在抗蚀膜(102)上以供给暂时贮存在溶液贮存部中的含有triphenylsulphoniumnonaflate并且不断循环的水(103)的状态，在抗蚀膜(102)上选择性照射曝光光(104)进行图形曝光。对于进行图形曝光后的抗蚀膜(102)，一旦在进行二次加热后通过碱性显影液显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成并具有良好剖面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明的图形形成方法，可以使通过浸渍光刻得到的抗蚀图形的剖面形状优良。
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公开(公告)号：CN1308707C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03134833.5
申请日：2003-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F7/70958 , G21K1/06
Abstract: 一种曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法。所述曝光装置具备，反射型掩模(20)和第一反射镜(30a)、第二反射镜(30b)、第三反射镜(30c)以及第四反射镜(30d)。反射型掩模(20)具有，选择性地形成在掩模基板上且反射极紫外线的反射层、形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域的红外线吸收层。反射镜具有形成在镜面基板上并反射极紫外线的反射层和形成在反射层上并吸收红外线的吸收层。根据本发明，向抗蚀膜选择性地照射极紫外线之后，通过显影而得到的抗蚀图的形状不会劣化。
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公开(公告)号：CN1282033C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN03155716.3
申请日：2003-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。
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公开(公告)号：CN1763633A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510118182.3
申请日：2003-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1725111A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510083389.1
申请日：2005-07-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/2041
Abstract: 一种曝光装置，在曝光部(20)中，在晶片(70)上形成的抗蚀剂膜上配置了浸液用的液体(71)的状态下，将经掩模(72)的曝光光照射到抗蚀剂膜上，浸液用液体供给部(30)向图案曝光部(20)供给液体。该液体供给部(30)从多个液体单元(31a、31b)等中，选择折射率不同的多个液体(71)中的1个供给至晶片(71)上。通过使浸液平板印刷术中分辨率的提高和焦点深度的维持同时实现，可良好地构成图案形状。
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公开(公告)号：CN1212645C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03131006.0
申请日：2003-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0751 , G03F7/161 , G03F7/165
Abstract: 本发明提供一种在半导体集成电路装置的制造过程等中使用的图形形成方法。在基板上形成由有机材料构成的低介电常数绝缘膜后，在第1室内，在低介电常数绝缘膜的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第1分子层。然后在第1室的内部保持低介电常数绝缘膜后，在第2室内，在第1分子层的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第2分子层。然后，在形成第1分子层和第2分子层的低介电常数绝缘膜上形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜，对于该抗蚀膜进行曝光和显影从而形成抗蚀层图形。由此可以使在具有空穴或者含有有机材料的被处理膜上形成的化学增幅型抗蚀膜构成的抗蚀层图形良好。
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公开(公告)号：CN1536024A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410033575.X
申请日：2004-04-07
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供通过通常的半导体工艺中使用的方法，可以容易地形成任意控制的膜厚的薄膜，并且用于形成具有稳定性优异的中孔尺寸的通道结构的多孔膜的涂布液。具体地，本发明提供一种多孔膜形成用组合物，其包括含有将通式RnSi(OR’)4－n表示的硅烷化合物的一种或一种以上水解和缩合而得到的聚合物，表面活性剂，和非质子极性溶剂。另外，本发明提供多孔膜的制造方法，其包括涂布该多孔膜形成用组合物的涂布工序；其后的干燥工序；和从得到的膜中除去表面活性剂的多孔化工序。本发明还提供使用该多孔膜形成用组合物得到的多孔膜。
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公开(公告)号：CN1531031A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028268.2
申请日：2004-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: C08G77/50 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C09D183/14 , Y10T428/31663
Abstract: 使用常规的半导体工艺，提供一种可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是，提供一种形成多孔膜的组合物，所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂，其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1)：R1kSi(OR2)4－k代表的硅烷化合物，和一种或多种由通式(2)：{Xj(Y)3－jSi－(L)m－}nMZ4－n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述组合物的步骤以便形成膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜，也提供了其它的信息。
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公开(公告)号：CN1519197A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310114941.X
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C01B39/04
CPC classification number: H01L21/02126 , C01B39/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了可形成多孔膜的沸石溶胶，所述多孔膜可通过在普通半导体生产中所使用的方法而变薄到需要的厚度，该膜具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度，以及其可以容易地变薄；本发明提供了成膜用组合物；多孔膜及其制造方法；内部含有这种多孔膜的高性能和高度可靠的半导体装置。更具体地说，在常规的多孔膜形成用涂布液中，在结构导向剂和碱性催化剂的存在下，通过水解和分解由通式Si(OR1)4(其中R1代表具有1－4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R1时，R1要以是独立的并相互相同或不同)表示的硅烷化合物，然后在75℃或者更低温度加热该硅烷化合物而制备沸石溶胶。使用了含有这种沸石溶胶的多孔膜形成用组合物。
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