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公开(公告)号：CN103307481A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310077454.4
申请日：2013-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 田中健一郎
IPC: F21S2/00 , F21V19/00 , F21V9/10 , F21Y101/02
CPC classification number: F21V9/16 , F21K9/27 , F21K9/64 , F21V3/08 , F21V3/12 , F21V9/30 , F21Y2113/17 , F21Y2115/10 , H01L24/45 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光装置，包括：具有不同发光颜色的多种发光单元；驱动所述发光单元的驱动器；以及公用于所述多种发光单元的罩构件。所述多种发光单元包括同一种固态发光元件，以及波长转换器，所述波长转换器分别覆盖各固态发光元件，并将固态发光元件发出的光的波长转换成不同于彼此的波长。此外，罩构件包含校正荧光体，该校正荧光体将由所述发光单元发出的光经混合得到的光的色度校正至预定的色度。
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公开(公告)号：CN102544341A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110428440.3
申请日：2011-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/486 , H01L24/45 , H01L25/0753 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2924/01019 , H01L2924/01047 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了一种发光装置，其包括固体发光元件；其上安装所述固体发光元件的安装基板；封装所述固体发光元件的封装元件；以及通过引线电连接至固体发光元件的引线框。引线框在安装基板的后表面上布置，并且安装基板包括前安装表面，在该前安装表面上安装固体发光元件。前安装表面具有由封装构件覆盖的光滑表面区。安装基板还包括布线孔，引线通过所述布线孔从安装基板的前安装表面延伸至安装基板的后表面。
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公开(公告)号：CN103038869A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037480.3
申请日：2011-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/205 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作电压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。
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公开(公告)号：CN102893418A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180020874.8
申请日：2011-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/0203 , F21K9/20 , F21K9/27 , F21K9/90 , F21V19/004 , F21V29/767 , F21Y2103/10 , F21Y2105/10 , F21Y2107/90 , F21Y2115/10 , H01L24/45 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H05K1/0271 , H05K1/056 , H05K1/181 , H05K3/202 , H05K2201/10106 , Y02P70/611 , Y10S362/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049
Abstract: 引线框在1节距的外框部的内侧经由支持片支持布线图案，该布线图案具备多个单位单元，该单位单元具备：下垫板，搭载固体发光元件；散热器，从下垫板以围着下垫板的方式延伸设置；以及引线，与固体发光元件的另一方的电极电连接，该固体发光元件的一方的电极与散热器电连接；相邻的单位单元中的一方的单位单元的引线与另一方的单位单元的散热器连结而电串联连接。提供一种引线框、布线板、发光单元、照明装置，能够抑制固体发光元件的温度上升，实现光输出的高输出化，并且能够实现将多个固体发光元件串联连接而使用的发光单元的低成本化。
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公开(公告)号：CN102318047A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980156596.1
申请日：2009-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体装置的制造方法中，首先在基板(101)上依次外延生长第1氮化物半导体层(103)、第2氮化物半导体层(104)和p型第3半导体层(105)。然后，选择性地除去第3半导体层(105)。接着，在第2氮化物半导体层(104)上外延生长第4氮化物半导体层(106)。然后，在第3半导体层(105)上形成栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103038869B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180037480.3
申请日：2011-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/205 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作耐压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。
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公开(公告)号：CN102544341B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110428440.3
申请日：2011-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/486 , H01L24/45 , H01L25/0753 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2924/01019 , H01L2924/01047 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了一种发光装置，其包括固体发光元件；其上安装所述固体发光元件的安装基板；封装所述固体发光元件的封装元件；以及通过引线电连接至固体发光元件的引线框。引线框在安装基板的后表面上布置，并且安装基板包括前安装表面，在该前安装表面上安装固体发光元件。前安装表面具有由封装构件覆盖的光滑表面区。安装基板还包括布线孔，引线通过所述布线孔从安装基板的前安装表面延伸至安装基板的后表面。
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公开(公告)号：CN103311415A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310074581.9
申请日：2013-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及使用其的照明装置和系统，具体公开了一种发光器件，包括：多种固态发光元件，具有彼此不同的峰值波长；以及波长变换器，包括对从每个所述固态发光元件发射的光的波长进行变换的荧光体。所述荧光体包括第一荧光体、第二荧光体和第三荧光体中的两个或更多。所述第一荧光体被具有相对较长的峰值波长的固态发光元件所发射的光激发，所述第二荧光体被具有相对较短的峰值波长的固态发光元件所发射的光激发。所述第三荧光体被所述固态发光元件中的任一种所发射的光激发。
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公开(公告)号：CN103003930A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180033838.5
申请日：2011-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/28575 , H01L29/0843 , H01L29/0891 , H01L29/2003 , H01L29/41766
Abstract: 一种场效应晶体管，通过开口部（121.1）的形成，在第一半导体层（110）的上表面中的、上方未形成第二半导体层（120）的部分的至少一部分形成绝缘体（130.1）。在开口部（121.1），以覆盖绝缘体（130.1）的方式形成源极电极（S10）。源极电极（S10）形成为，与第一半导体层（110）和上述第二半导体层（120）之间的界面相接。
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公开(公告)号：CN102017199B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200980114608.4
申请日：2009-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: F21V7/0091 , F21V5/04 , F21Y2115/10 , G02B3/0043 , G02B5/02 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , H01L25/0753 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在包括多个光颜色LED元件的安装有透镜的发光单元中，支持窄角度光分布，并提高颜色混合属性。安装有透镜的发光单元10包括布置在基板11上的具有多个光颜色的LED元件12(12A到12D)，及具有旋转体形状的透镜单元11以对来自LED元件12的光进行颜色混合和发射。假设位于透镜单元13的侧入射表面14c和上部入射表面14d之间的任意接触点P1，且来自距接触点P1最远的LED元件12A的光在接触点P1被折射以形成在交点P2与发射表面14a交的光路L1，通过连续连接这种交点形成的圆C1之内的发射表面14a具有比圆C1之外的发射表面14a的漫射角大的漫射角。这支持窄角度光分布，并能够提高颜色混合属性。
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