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公开(公告)号:CN1819253A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200610006740.1
申请日:2006-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 栗山俊宽
IPC: H01L27/148 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14812
Abstract: 提供一种固体摄像器件,具备半导体衬底(1),该半导体衬底(1)上具有:多个受光部,排列成1维状或2维状;垂直传送部,将从受光部读出的信号电荷沿垂直方向传送;水平传送部,将由垂直传送部传送的上述信号电荷沿水平方向传送;阻挡区(5),与上述水平传送部相邻,形成为仅使水平传送部的剩余电荷通过;漏区(6),与上述阻挡区(5)相邻,用于将通过了上述阻挡区(5)的上述剩余电荷排出;以及绝缘层(8),与上述漏区(6)相邻;上述漏区(6)形成为,其一部分位于上述绝缘层(8)的下层。
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公开(公告)号:CN1731586A
公开(公告)日:2006-02-08
申请号:CN200510091064.8
申请日:2005-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 栗山俊宽
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种不牺牲灵敏度就能实现薄型化和高图像质量化的固体摄像器件及其制造方法,在将具有光电二极管(27a)和形成在光电二极管(27a)上方的第1显微透镜(21a、21b、21c)及第2显微透镜(24a、24b、24c)的多个单位像素(11)以二维形状排列而形成摄像区域(13)的固体摄像器件中,第1显微透镜(21a、21b、21c)或者第2显微透镜(24a、24b、24c)的凸面上,凸面最大曲率从摄像区域(13)的中心部位向外周部位变大。
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公开(公告)号:CN101330090A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200810128506.5
申请日:2008-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 栗山俊宽
IPC: H01L27/148 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明的目的在于得到一种固体摄像装置及其制造方法,灵敏度高、且可对应于多像素化用的像素的细微化,且可高速动作。该固体摄像装置包括多个光电转换部,在基板上按行列状进行配置;垂直传送沟道,配置在所述光电转换部的垂直列间部分;多个垂直传送电极,将所述光电转换部的电荷传送给所述垂直传送沟道;遮光膜,在所述垂直传送电极上隔着第一绝缘膜层积并具有规定了所述光电转换部的受光部的多个窗部;以及分流布线,配置在与所述垂直传送沟道重合的区域,通过第二绝缘膜与所述遮光膜绝缘;从所述分流布线供给对应于所述垂直传送电极的各驱动相位的驱动脉冲。
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公开(公告)号:CN100370617C
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200410044618.4
申请日:2004-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 栗山俊宽
IPC: H01L27/14 , H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L29/66946 , H01L27/14831
Abstract: 本发明的目的是提供水平传送CCD的高传送效率和垂直传送CCD的充足耐压同时实现的固体摄像器件的制造方法。本发明的固体摄像器件具有:半导体衬底(110)、构成2层重叠多晶硅电极的第1层多晶硅电极(120)、第2层多晶硅电极(130)、形成在半导体衬底(110)的表面部分且成为信号电荷传送通路的埋入沟道区(140)、及蓄积光电转换过的信号电荷的光电二极管布置成二维状态的光电二极管区(150);水平传送CCD的电极间距离(c)比垂直传送CCD的电极间距离(a)短。
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公开(公告)号:CN100358150C
公开(公告)日:2007-12-26
申请号:CN200410049277.X
申请日:2004-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 栗山俊宽
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H04N9/045
Abstract: 在滤色镜层(120)和光电转换部分之间设置的每个层内透镜具有由中心透镜(132)和环形透镜(134)构成的菲涅耳透镜结构。结果,减小了层内透镜的厚度,不必减小滤色镜层的厚度就可以降低上透镜的位置。
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公开(公告)号:CN1574373A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410047576.X
申请日:2004-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14632 , H01L27/14806
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件的制造方法,在半导体衬底(1)上形成受光部(12),在受光部(12)及半导体衬底(1)上形成第1绝缘膜(6),在第1绝缘膜(6)上形成用作布线的金属膜,在金属膜上形成保护膜(8),在保护膜的预定区域形成抗蚀剂膜,使用抗蚀剂膜分别除去保护膜(8)及金属膜的一部分,形成上面被保护膜(8)覆盖的布线(7),在布线(7)及第1绝缘膜(6)上形成含有氢的第2绝缘膜(10),对第2绝缘膜(10)进行加热处理,通过对第2绝缘膜(10)的整个表面进行各向异性刻蚀处理,来除去该第2绝缘膜(10)。
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公开(公告)号:CN1574369A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410044618.4
申请日:2004-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 栗山俊宽
IPC: H01L27/14 , H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L29/66946 , H01L27/14831
Abstract: 本发明的目的是提供水平传送CCD的高传送效率和垂直传送CCD的充足耐压同时实现的固体摄像器件及其制造方法。本发明的固体摄像器件具有:半导体衬底(110)、构成2层重叠多晶硅电极的第1层多晶硅电极(120)、第2层多晶硅电极(130)、形成在半导体衬底(110)的表面部分且成为信号电荷传送通路的埋入沟道区(140)、及蓄积光电转换过的信号电荷的光电二极管布置成二维状态的光电二极管区(150);水平传送CCD的电极间距离(c)比垂直传送CCD的电极间距离(a)短。
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公开(公告)号:CN100435344C
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200410055710.0
申请日:2004-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 栗山俊宽
IPC: H01L27/148 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14818 , H01L31/02164 , H01L31/02325
Abstract: 一种固态成像装置,包括:以规则间隔在光接收区中设置成矩阵形式的多个光敏元件,其中光接收区设置在半导体衬底上;设置在半导体衬底上并对应多个光敏元件的多个检测电极,用于检测由每个光敏元件产生的电荷;覆盖多个检测电极并具有在每个光敏元件上的孔的光屏蔽膜;和多个反射壁,这些反射壁在光屏蔽膜上形成为格栅图形,以便独立地隔开位于各个光敏元件上的孔,用于将从上部进入半导体衬底的一部分光反射到每个光敏元件上的孔上。多个反射壁的形成使得穿过孔彼此相对的反射壁的中点从孔的中心向光接收区的中心偏移。
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公开(公告)号:CN100358149C
公开(公告)日:2007-12-26
申请号:CN200410047576.X
申请日:2004-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14632 , H01L27/14806
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件的制造方法,在半导体衬底(1)上形成受光部(12),在受光部(12)及半导体衬底(1)上形成第1绝缘膜(6),在第1绝缘膜(6)上形成用作布线的金属膜,在金属膜上形成保护膜(8),在保护膜的预定区域形成抗蚀剂膜,使用抗蚀剂膜分别除去保护膜(8)及金属膜的一部分,形成上面被保护膜(8)覆盖的布线(7),在布线(7)及第1绝缘膜(6)上形成含有氢的第2绝缘膜(10),对第2绝缘膜(10)进行加热处理,通过对第2绝缘膜(10)的整个表面进行各向异性刻蚀处理,来除去该第2绝缘膜(10)。
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公开(公告)号:CN1812116A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200510137093.3
申请日:2005-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/148 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H01L27/148
Abstract: 本发明揭示一种固体摄像装置的制造方法,在半导体基板(1)上形成第1栅极(4)和第2栅极(5)后,有选择地形成保护膜图案使包含第1和第2栅极(4、5)的重叠部的部分形成开口。接着通过各向同性的蚀刻法除去包含栅极(4、5)的重叠部的部分。以第2栅极(5)的膜厚的 140%以上至200%的范围实施这时的蚀刻量。然后,形成通常的层间绝缘膜和遮光膜(6)。通过使遮光膜(6)的开口部(6a)邻接的栅极部消除重叠,抑制这一部分的遮光膜(6)的高度,减少对透镜(8)聚光的光的遮蔽,从而有可能提高透镜(8)的聚光效率。
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