公开(公告)号：CN1574373A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047576.X

申请日：2004-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西尾利惠子 ,  栗山俊宽

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14806

Abstract: 本发明涉及固体摄像器件的制造方法，在半导体衬底(1)上形成受光部(12)，在受光部(12)及半导体衬底(1)上形成第1绝缘膜(6)，在第1绝缘膜(6)上形成用作布线的金属膜，在金属膜上形成保护膜(8)，在保护膜的预定区域形成抗蚀剂膜，使用抗蚀剂膜分别除去保护膜(8)及金属膜的一部分，形成上面被保护膜(8)覆盖的布线(7)，在布线(7)及第1绝缘膜(6)上形成含有氢的第2绝缘膜(10)，对第2绝缘膜(10)进行加热处理，通过对第2绝缘膜(10)的整个表面进行各向异性刻蚀处理，来除去该第2绝缘膜(10)。

公开(公告)号：CN100358149C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200410047576.X

申请日：2004-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西尾利惠子 ,  栗山俊宽

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14806

Abstract: 本发明涉及固体摄像器件的制造方法，在半导体衬底(1)上形成受光部(12)，在受光部(12)及半导体衬底(1)上形成第1绝缘膜(6)，在第1绝缘膜(6)上形成用作布线的金属膜，在金属膜上形成保护膜(8)，在保护膜的预定区域形成抗蚀剂膜，使用抗蚀剂膜分别除去保护膜(8)及金属膜的一部分，形成上面被保护膜(8)覆盖的布线(7)，在布线(7)及第1绝缘膜(6)上形成含有氢的第2绝缘膜(10)，对第2绝缘膜(10)进行加热处理，通过对第2绝缘膜(10)的整个表面进行各向异性刻蚀处理，来除去该第2绝缘膜(10)。