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公开(公告)号：CN102630340B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201180004319.6
申请日：2011-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的目的在于提供能够初始击穿时的低电压以及高速工作、且能够抑制接触插塞的氧化的电阻变化型非易失性半导体存储元件的制造方法，在包括由形成在接触插塞(104)上的下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成的电阻变化元件的非易失性半导体存储元件的制造方法中，在将第一导电膜(105′)图形化来形成下部电极(105)之前具有，为了使电阻变化层(106)的端部绝缘化而进行氧化的工序。
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公开(公告)号：CN103999218A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280044072.5
申请日：2012-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 非易失性存储元件（20）具备：第1电极（105）；第2电极（107）；电阻变化层（106），介于第1电极（105）与第2电极（107）之间，将与第1电极（105）连接的第1电阻变化层（1061）和与第2电极（107）连接的第2电阻变化层（1062）层叠而构成；以及侧壁保护层（108），具有氧阻挡性，将上述电阻变化层（106）的侧面覆盖；第1电阻变化层（1061）由第1金属氧化物（106a）和形成在第1金属氧化物的周围且氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第3金属氧化物（106c）构成，第2电阻变化层（1062）由氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第2金属氧化物（106b）构成。
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公开(公告)号：CN102449763B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201180002264.5
申请日：2011-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种能够抑制电阻值不均匀的电阻变化型的非易失性存储元件。本发明的非易失性存储元件具有：硅基板(11)；下部电极层(102)，形成在硅基板(11)上；电阻变化层，形成在下部电极层(102)上；上部电极层(104)，形成在电阻变化层上；第二层间绝缘层(19)，以至少覆盖下部电极层(102)、电阻变化层的侧面而形成；压力缓和区域层(105)，使用比用于第二层间绝缘层(19)的绝缘层应力小的材料以至少直接覆盖上部电极层(104)的上表面以及侧面的方式来进行设置，缓和针对上部电极层(104)的应力；第二触点(16)到达上部电极层(104)而形成；以及，布线图案(18)，与第二触点(16)相连接。
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公开(公告)号：CN103370790A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280008882.5
申请日：2012-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L49/02
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 非易失性存储装置具备：存储器单元阵列（10），具有由电阻变化元件（141）和第1电流控制元件（142）构成的多个存储器单元（11）；以及电流控制元件参数产生电路（20），具有配置在基板（100）与第2层间绝缘层（105）之间的第3布线（203）、配置在第2层间绝缘层（105）上的第4布线（219）、在第3布线（203）与第4布线（219）之间通过将电阻变化元件（141）除去而不经由电阻变化元件（141）地与第3布线（203）及第4布线（219）连接、且具有与第1电流控制元件（142）相同的非线性电流控制特性的第2电流控制元件（242）。
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公开(公告)号：CN103229299A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180013542.7
申请日：2011-11-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/15 , G11C29/56 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , H01L27/02 , H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的非易失性存储元件，包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的氧含有率比第1过渡金属氧化物(116b)的氧含有率低，过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)与第1电阻变化层(1161)相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103222055A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180035193.9
申请日：2011-10-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 提供一种在低电压下电阻稳定地变化，适于大容量化并且可靠性优良的电阻变化型非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件（10）具有：第一电极（106）、第二电极（104）和电阻变化层（115），该电阻变化层基于施加在两电极间的电信号而电阻值可逆地变化，电阻变化层（115）具备按顺序层叠具有由MOx表示的组成的第一过渡金属氧化物层（115x）、具有由MOy（其中x>y）表示的组成的第二过渡金属氧化物层（115y）、和由MOz（其中y>z）表示的组成的第三过渡金属氧化物层（115z）的层叠结构。
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公开(公告)号：CN102576709A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201180004244.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种能够抑制非易失性存储元件间的初始击穿电压的偏差、防止成品率的降低的非易失性存储装置及其制造方法。包括：具有电阻变化层(106)与基板(117)的主面平行且平坦地形成的层叠结构的非易失性存储元件(108)；和与第一电极(105)和第二电极(107)中任一个电连接的插头(103)，插头(103)与非易失性存储元件(108)连接的一侧的端面的、与基板(117)的主面平行的面的插头(103)的面积，比作为导电区域的第一过渡金属氧化物层(115)的、与基板(117)的主面平行的截面的截面积大。
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公开(公告)号：CN102714210B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180004314.3
申请日：2011-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/1675
Abstract: 提供抑制因热预算而导致的电阻变化层的氧浓度特性的劣化、且在低电压下能够稳定工作的非易失性存储元件以及其制造方法。非易失性存储元件(12)，具备：第一电极层(105)，被形成在衬底上(100)；电阻变化层(106)，被配置在第一电极层上(105)；以及第二电极层(107)，被配置在电阻变化层(106)上，电阻变化层(106)具有，缺氧氮型钽氧氮化物层(106a)与钽氧化物层(106b)层叠的双层构造。
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公开(公告)号：CN102576709B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201180004244.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种能够抑制非易失性存储元件间的初始击穿电压的偏差、防止成品率的降低的非易失性存储装置及其制造方法。包括：具有电阻变化层(106)与基板(117)的主面平行且平坦地形成的层叠结构的非易失性存储元件(108)；和与第一电极(105)和第二电极(107)中任一个电连接的插头(103)，插头(103)与非易失性存储元件(108)连接的一侧的端面的、与基板(117)的主面平行的面的插头(103)的面积，比作为导电区域的第一过渡金属氧化物层(115)的、与基板(117)的主面平行的截面的截面积大。
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公开(公告)号：CN102428560B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201180002106.X
申请日：2011-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和第3过渡金属氧化物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层(1161)相接。
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