公开(公告)号：CN103999218A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280044072.5

申请日：2012-09-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田慎一 ,  三河巧 ,  伊藤理 ,  早川幸夫 ,  姫野敦史

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/124 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 非易失性存储元件（20）具备：第1电极（105）；第2电极（107）；电阻变化层（106），介于第1电极（105）与第2电极（107）之间，将与第1电极（105）连接的第1电阻变化层（1061）和与第2电极（107）连接的第2电阻变化层（1062）层叠而构成；以及侧壁保护层（108），具有氧阻挡性，将上述电阻变化层（106）的侧面覆盖；第1电阻变化层（1061）由第1金属氧化物（106a）和形成在第1金属氧化物的周围且氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第3金属氧化物（106c）构成，第2电阻变化层（1062）由氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第2金属氧化物（106b）构成。

公开(公告)号：CN103119717A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201280002048.5

申请日：2012-09-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村濑英昭 ,  三河巧 ,  川岛良男 ,  姫野敦史

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: 包括：在基板上形成第1导电膜（105’）的工序（c）；在第1导电膜（105’）上，形成第1金属氧化物层（106x”）、缺氧度与第1金属氧化物层不同的第2金属氧化物层（106y”）、以及第2导电膜（107’）的工序（d、e）；通过对第2导电膜（107’）进行构图来形成第2电极（107）的工序（f）；通过对第1金属氧化物层（106x”）和第2金属氧化物层（106y”）进行构图来形成电阻变化层（106）的工序（g）；将电阻变化层（106）的侧部蚀刻至在与基板的主面平行的面内比第2电极（107）的轮廓更向内侧进入的位置的工序（h）；以及在将电阻变化层（106）的侧部除去的工序之后，或者在与该工序的同一工序中，通过对第1导电膜（105’）进行构图来形成第1电极（105）的工序（i）。