公开(公告)号：CN107694588A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710300907.3

申请日：2017-05-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村濑英昭 ,  羽藤一仁

IPC: B01J27/24 ,  B01J37/34 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06

CPC classification number: B01J27/24 ,  B01J19/127 ,  B01J23/20 ,  B01J23/22 ,  B01J35/0006 ,  B01J35/002 ,  B01J35/004 ,  B01J37/0244 ,  B01J37/347 ,  B01J37/349 ,  B01J2219/0877 ,  B01J2219/0892 ,  B01J2219/1203 ,  C01B3/042 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/20 ,  H01G9/2027 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  B01J35/0033 ,  C25B1/04 ,  C25B11/0405 ,  C25B11/0478

Abstract: 提供一种光半导体的制造方法，该制造方法与以往的制造方法相比，能够安全、简便并且生产能力良好地制造含有过渡金属和氮元素的光半导体。本公开的光半导体的制造方法，包括以下工序：在基材(201)上形成含有一种以上的过渡金属的氧化物的工序；通过在比大气压低的压力气氛下，利用以VHF频带的频率产生的含氮的气体的等离子体对所述氧化物实施处理，从而由所述氧化物制作出含有所述过渡金属以及氮元素的光半导体的工序。

公开(公告)号：CN103119717A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201280002048.5

申请日：2012-09-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村濑英昭 ,  三河巧 ,  川岛良男 ,  姫野敦史

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: 包括：在基板上形成第1导电膜（105’）的工序（c）；在第1导电膜（105’）上，形成第1金属氧化物层（106x”）、缺氧度与第1金属氧化物层不同的第2金属氧化物层（106y”）、以及第2导电膜（107’）的工序（d、e）；通过对第2导电膜（107’）进行构图来形成第2电极（107）的工序（f）；通过对第1金属氧化物层（106x”）和第2金属氧化物层（106y”）进行构图来形成电阻变化层（106）的工序（g）；将电阻变化层（106）的侧部蚀刻至在与基板的主面平行的面内比第2电极（107）的轮廓更向内侧进入的位置的工序（h）；以及在将电阻变化层（106）的侧部除去的工序之后，或者在与该工序的同一工序中，通过对第1导电膜（105’）进行构图来形成第1电极（105）的工序（i）。