公开(公告)号：CN100531165C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200410063156.0

申请日：2004-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中岛章太 ,  井上敦雄 ,  稻垣诚三

IPC: H04L25/45 ,  H04L27/00

CPC classification number: H04L25/02 ,  H04L7/0008 ,  H04L25/08

Abstract: 一种在双线型数据通信中的没有由于信号之间时滞的影响而产生的错误数据解调的稳定通信，该双线型数据通信用于在控制器和数据存储设备之间执行数据通信以及通过第一信号线和第二信号线来提供时钟和电能。当控制器发送正相位时钟脉冲如第一发送信号(a)以及反相位时钟脉冲如第二发送信号(b)时，当发送数据逻辑为“1”时，控制器将第二发送信号的“H”脉冲调制为相对于第一发送信号的“L”脉冲提前时间td1的信号，当发送数据的逻辑为“0”时，则将其调制为相对于第一发送信号的“L”脉冲提前时间td2的信号，并发送所调制的信号。数据载体设备通过使用从第一发送信号中提取的时钟来检测第二发送信号延迟时间的变化以解调数据(e)。

公开(公告)号：CN101430571A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810212655.X

申请日：2008-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 和田博文 ,  井上敦雄 ,  松野则昭

IPC: G05F1/56 ,  G05F1/567

CPC classification number: G05F3/30 ,  G11C5/147

Abstract: 本发明公开了一种恒压电路。温度相反特性产生电路使输出电压(Vout)降低电压(VGS)的值，再作为电压(VA)向温度特性产生电路提供该降低后的电压。温度特性产生电路包括以电阻(R22)、(R23)相互之间的端子电压(VAP)及双极晶体管(T21)的发射极电压(VAM)作为输入、并输出控制信号(VC)的差动放大电路。当端子电压(VAP)、(VAM)相等时，电路工作稳定。工作稳定时的电压(VA)的温度特性和电压(VGS)的温度特性相反，因而两种特性互相抵消，因此没有温度依赖性的恒压(Vout)输出来。因此，能抑制着电路规模的增大，用能容易地进行低功耗设计的电路实现产生没有温度依赖性的恒压的恒压电路。

公开(公告)号：CN101145391A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710152706.X

申请日：2007-09-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松野则昭 ,  井上敦雄

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/04

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种强电介质存储装置，用强电介质存储元件(1)来记忆数据，包括：温度传感器(2)，检测该强电介质存储装置的温度；控制部(4)，输出控制信号，该控制信号指定电压，该电压随着由温度传感器(2)检测的温度的降低而增加；以及电压发生部(3)，发生由来自控制部(4)的控制信号指定的电压，并向强电介质存储元件(1)提供发生后的电压。据此，可以提供一种强电介质存储装置，通过采用较简单的结构，从而可以对出货后受到的热应力的影响进行恢复，即，为了保持所述数据对极化量的降低或压印恶化进行恢复。

公开(公告)号：CN1574801A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410063156.0

申请日：2004-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中岛章太 ,  井上敦雄 ,  稻垣诚三

IPC: H04L25/45 ,  H04L27/00

CPC classification number: H04L25/02 ,  H04L7/0008 ,  H04L25/08

Abstract: 一种在双线型数据通信中的没有由于信号之间时滞的影响而产生的错误数据解调的稳定通信，该双线型数据通信用于在控制器和数据存储设备之间执行数据通信以及通过第一信号线和第二信号线来提供时钟和电能。当控制器发送正相位时钟脉冲如第一发送信号(a)以及反相位时钟脉冲如第二发送信号(b)时，当发送数据逻辑为“1”时，控制器将第二发送信号的“H”脉冲调制为相对于第一发送信号的“L”脉冲提前时间td1的信号，当发送数据的逻辑为“0”时，则将其调制为相对于第一发送信号的“L”脉冲提前时间td2的信号，并发送所调制的信号。数据载体设备通过使用从第一发送信号中提取的时钟来检测第二发送信号延迟时间的变化以解调数据(e)。

公开(公告)号：CN1107345C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97121332.1

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻逹男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/324 ,  H01L21/30 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体器件制造方法。本发明的半导体器件制造方法，在形成电极配线后还包括：形成覆盖所述电极配线的第二层间绝缘膜(59)的工序；除去位于所述电容元件上部的第二层间绝缘膜(59)的工序；热处理所述电容元件的工序；以及形成覆盖所述电极配线的保护膜(55)的工序。通过上述步骤，即便所增加的第二层间绝缘膜(59)中含氢等，也能够防止氢对电容元件造成不良影响。

公开(公告)号：CN1082718C

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN96107136.2

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  吾妻正道

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/92

Abstract: 本发明揭示一种内装以大介电常数电介质或强电介质为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件及其制造方法中，包括将电容绝缘膜(6)的烧结工序的烧结温度保持在650℃，利用以5℃/分或10℃/分为到达烧结温度的升温率进行烧结，形成结晶粒(7)的平均粒径为12.8nm、粒径离散的标准偏差几乎为2.2nm的结晶大小的厚度约185nm的Ba0.7Sr0.3TiO3组成的电容绝缘膜(6)。提供了可靠性好的半导体器件及其制造方法。