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公开(公告)号：CN100565737C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN03150143.5
申请日：2003-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/012 , H01G4/33 , H01G9/04 , Y10T29/417
Abstract: 一种固体电解电容器及其制造方法，该电容器具有：在一面上设有多孔部的阀金属片；在多孔部上形成的介电体薄膜；在介电体薄膜上形成的固体电解质层；在固体电解质层上形成的集电体层；与集电体层导通，并贯穿阀金属片，露在另一面的通孔电极；与通孔电极绝缘，并与阀金属片连接的电极端子。进而，该电容器还具有贯穿阀金属片的绝缘部和贯穿绝缘部的贯通电极。该电容器的容量大，且高频响应性良好，容易安装在半导体部件上。
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公开(公告)号：CN100377268C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN02800775.1
申请日：2002-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/012 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明的固体电解电容，包括多孔质化的阀金属片、在该多孔质部上形成的电介质层、在该电介质层上形成的固体电解质层、在该固体电解质层上形成的集电体层和电极显出部、使电极显出部和集电体层之间电绝缘的绝缘部，电极显出部和集电体层处在阀金属片的同一面上。上述构成的电容元件可以积层。依据本发明，可以获得小型大容量的、高频响应特性优异的固体电解电容。
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公开(公告)号：CN101010800A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200680000721.6
申请日：2006-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H05K1/162 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H05K3/385 , H05K3/4641 , H05K2201/0329 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , H05K2203/0315 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/0401 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种安装基板，其具有电子管金属制的电容结构层、第一基板结构体、第二基板结构体、第一电极、第二电极、引出电极以及导电高分子体。电容结构层具有内层以及设置在此内层的至少一个面上的粗化氧化膜。第一基板结构体设置在电容结构层的表面上，第二基板结构体设置在与第一基板结构体相对的一侧的面上。第一电极和第二电极以相互绝缘的状态设置在第一基板结构体和第二基板结构体的至少一方的表面上。引出电极和导电高分子体设置在第一基板结构体和第二基板结构体中至少一方的内部。引出电极将第一电极和内层电导通。导电高分子体使第二电极和粗化氧化膜电导通。
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公开(公告)号：CN100337281C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN02802157.6
申请日：2002-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B5/5552 , Y10S438/928
Abstract: 一种微量移动装置及其制造方法，把与配置有记录头等的台座连接的端部和另一方的端部固定在固定基板上，以保证伸缩体的尺寸不发生变化，并且在固定基板上的区域中设置向伸缩体供给电压的外部电极连接部。本发明的目的是，在盘状记录介质的记录再生装置等中的用于进行微量定位的微量移动装置中，实现向通过施加电压使记录头等发生位移的伸缩体供给稳定的电压。
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公开(公告)号：CN1210156C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN99800949.0
申请日：1999-06-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/1623 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , B41J2002/14387
Abstract: 用于谋求喷嘴的高密度化及工序效率化喷墨的流体喷射装置及其制造方法。玻璃基板(18)上通过喷砂设有贯穿孔(15)，其上直接接合第二硅基板(19)形成排出口(14)。另外，蚀刻第一硅基板(17)以形成压力室(12)、流路(13)及流体供给口(16)并与玻璃基板(18)直接接合后，在压力室(12)正上面与具有弹性体(20)的压电薄膜(11)接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1499548A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310102304.0
申请日：2003-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/15
CPC classification number: H01G9/042 , H01G9/0425 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明涉及一种固体电解电容器及其制造方法，至少在电子管金属薄板体一个面上，在所设的多孔质部的表面设置介电膜。在介电膜上设置固体电解质层，在固体电解质层上设置集电体层。在介电膜的外围设置第1绝缘部，在与绝缘部开口相应的介电膜的部分上设置固体电解质层。固体电解质层的一部分形成在第1绝缘部上。在第1绝缘部上和固体电解质层的外围设置第2绝缘部。在第2绝缘部开口面的固体电解质层上设置集电体层，由此构成固体电解电容器。该固体电解电容器泄漏电流小、可耐高电压。
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公开(公告)号：CN1473338A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02802860.0
申请日：2002-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/012 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 是一种能与半导体部件直接连接并在高频特性上优良的大容量的固体电解电容器的制造方法，包括：使阀金属片(2)多孔质化并在已多孔质化的表面(3)上形成电解体被膜(7)的电介体形成步骤、在上述电介体被膜上形成固体电解质层(8)和集电体层(10)的元件形成步骤和形成与外部电极的连接端子(16)的端子形成步骤，上述元件形成步骤包括：在上述电介体被膜(7)上形成固体电解质层(8)的电解质层形成工序、在上述阀金属片(2)上已形成的通孔(5)中形成通孔电极(9)的通孔电极形成工序、和在上述固体电解质层(8)上形成集电体层(10)的集电体层形成工序。
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公开(公告)号：CN1463436A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02802157.6
申请日：2002-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B5/5552 , Y10S438/928
Abstract: 一种微量移动装置及其制造方法，把与配置有记录头等的台座连接的端部和另一方的端部固定在固定基板上，以保证伸缩体的尺寸不发生变化，并且在固定基板上的区域中设置向伸缩体供给电压的外部电极连接部。本发明的目的是，在盘状记录介质的记录再生装置等中的用于进行微量定位的微量移动装置中，实现向通过施加电压使记录头等发生位移的伸缩体供给稳定的电压。
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公开(公告)号：CN1460274A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02800775.1
申请日：2002-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/012 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明的固体电解电容，包括多孔质化的阀金属片、在该多孔质部上形成的电介质层、在该电介质层上形成的固体电解质层、在该固体电解质层上形成的集电体层和电极显出部、使电极显出部和集电体层之间电绝缘的绝缘部，电极显出部和集电体层处在阀金属片的同一面上。上述构成的电容元件可以积层。依据本发明，可以获得小型大容量的、高频响应特性优异的固体电解电容。
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公开(公告)号：CN1137844A
公开(公告)日：1996-12-11
申请号：CN95191115.5
申请日：1995-11-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02N2/00
CPC classification number: H01L41/094
Abstract: 一种压电执行元件及用其构成的热电型红外线传感器，在隔片上粘贴压电体构成单压电晶片型执行元件，隔片与变位扩大部连成U字形，单压电晶片型执行元件和变位扩大部各自振动引起的共振频率相互接近，并在两共振频率之间进行驱动。这样，在变位扩大部前端能得到稳定的变位扩大效果，并能使所述传感器小型化，高精度化。
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