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公开(公告)号：CN100565737C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN03150143.5
申请日：2003-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/012 , H01G4/33 , H01G9/04 , Y10T29/417
Abstract: 一种固体电解电容器及其制造方法，该电容器具有：在一面上设有多孔部的阀金属片；在多孔部上形成的介电体薄膜；在介电体薄膜上形成的固体电解质层；在固体电解质层上形成的集电体层；与集电体层导通，并贯穿阀金属片，露在另一面的通孔电极；与通孔电极绝缘，并与阀金属片连接的电极端子。进而，该电容器还具有贯穿阀金属片的绝缘部和贯穿绝缘部的贯通电极。该电容器的容量大，且高频响应性良好，容易安装在半导体部件上。
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公开(公告)号：CN1095174C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN96106663.6
申请日：1996-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明揭示片状电子零件及其制造方法。在基板1的表面形成电阻层4、一对上表面电极层2以及保护层6，在两端面形成由第1电极层3和钎焊料层的第2电极层7构成的外部电极的片状电阻，为了改善外部电极的机械强度，在第1电极层3使用表面具有多个突起的导电性金属粉和树脂混合的导电材料。
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公开(公告)号：CN100350525C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN02802860.0
申请日：2002-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/012 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 是一种能与半导体部件直接连接并在高频特性上优良的大容量的固体电解电容器的制造方法，包括：使阀金属片(2)多孔质化并在已多孔质化的表面(3)上形成电解体被膜(7)的电介体形成工序、在上述电介体被膜上形成固体电解质层(8)和集电体层(10)的元件形成工序和形成与外部电极的连接端子(16)的端子形成工序，上述元件形成工序包括：在上述电介体被膜(7)上形成固体电解质层(8)的电解质层形成工序、在上述阀金属片(2)上已形成的通孔(5)中形成通孔电极(9)的通孔电极形成工序、和在上述固体电解质层(8)上形成集电体层(10)的集电体层形成工序。
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公开(公告)号：CN1366687A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01800975.1
申请日：2001-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的固体电解电容器,具有其一部分上形成有阳极电极部的阀金属片体,在所述阀金属表面形成的介质薄膜,在所述介质薄膜上形成的固体电解质层,在所述固体电解质层上形成的阴极电极部,以及保护所述阳极电极部、介质薄膜、固体电解质层及阴极电极部的绝缘保护层,还具有在所述绝缘保护层上形成的、至少与所述阳极电极部或阴极电极部连接的凸头。使用本发明的固体电解电容器,能制成高频响应性能优秀的半导体装置或电路。
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公开(公告)号：CN1998056A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200580022421.3
申请日：2005-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的电容器具有第一电容器元件、以及层叠于该第一电容器元件上的第二电容器元件。第一电容器元件是设有贯通阀金属薄板体的通孔电极，且在其中一面上取出阴极、阳极端子部的固体电解质电容器。第二电容器元件具有：隔着介电层设的第一电极、第二电极；以及贯通介电层的第二通孔电极。第二通孔电极连接于第一电极，并且与第二电极绝缘。第二电极的取出部从介电层露出。而且，第二通孔电极与取出部交替配置。第一电极电性连接于第一通孔电极，第二电极电性连接于阀金属薄板体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1479330A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03150143.5
申请日：2003-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/012 , H01G4/33 , H01G9/04 , Y10T29/417
Abstract: 一种固体电解电容器及其制造方法，该电容器具有：在一面上设有多孔部的阀金属片；在多孔部上形成的介电体薄膜；在介电体薄膜上形成的固体电解质层；在固体电解质层上形成的集电体层；与集电体层导通，并贯穿阀金属片，露在另一面的通孔电极；与通孔电极绝缘，并与阀金属片连接的电极端子。进而，该电容器还具有贯穿阀金属片的绝缘部和贯穿绝缘部的贯通电极。该电容器的容量大，且高频响应性良好，容易安装在半导体部件上。
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公开(公告)号：CN1499548A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310102304.0
申请日：2003-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/15
CPC classification number: H01G9/042 , H01G9/0425 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明涉及一种固体电解电容器及其制造方法，至少在电子管金属薄板体一个面上，在所设的多孔质部的表面设置介电膜。在介电膜上设置固体电解质层，在固体电解质层上设置集电体层。在介电膜的外围设置第1绝缘部，在与绝缘部开口相应的介电膜的部分上设置固体电解质层。固体电解质层的一部分形成在第1绝缘部上。在第1绝缘部上和固体电解质层的外围设置第2绝缘部。在第2绝缘部开口面的固体电解质层上设置集电体层，由此构成固体电解电容器。该固体电解电容器泄漏电流小、可耐高电压。
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公开(公告)号：CN1473338A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02802860.0
申请日：2002-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/012 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 是一种能与半导体部件直接连接并在高频特性上优良的大容量的固体电解电容器的制造方法，包括：使阀金属片(2)多孔质化并在已多孔质化的表面(3)上形成电解体被膜(7)的电介体形成步骤、在上述电介体被膜上形成固体电解质层(8)和集电体层(10)的元件形成步骤和形成与外部电极的连接端子(16)的端子形成步骤，上述元件形成步骤包括：在上述电介体被膜(7)上形成固体电解质层(8)的电解质层形成工序、在上述阀金属片(2)上已形成的通孔(5)中形成通孔电极(9)的通孔电极形成工序、和在上述固体电解质层(8)上形成集电体层(10)的集电体层形成工序。
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公开(公告)号：CN100383903C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200310102304.0
申请日：2003-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/15
CPC classification number: H01G9/042 , H01G9/0425 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明涉及一种固体电解电容器及其制造方法，至少在阀金属薄板体一个面上，在所设的多孔质部的表面设置介电膜。在介电膜上设置固体电解质层，在固体电解质层上设置集电体层。在介电膜的外周上设置第1绝缘部，在与绝缘部开口相应的介电膜的部分上设置固体电解质层。固体电解质层的一部分形成在第1绝缘部上。在第1绝缘部上和固体电解质层的外周上设置第2绝缘部。在第2绝缘部开口面的固体电解质层上设置集电体层，由此构成固体电解电容器。该固体电解电容器泄漏电流小、可耐高电压。
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公开(公告)号：CN100369167C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN01800975.1
申请日：2001-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的固体电解电容器，具有其一部分上形成有阳极电极部的阀金属片体，在所述阀金属表面形成的介质薄膜，在所述介质薄膜上形成的固体电解质层，在所述固体电解质层上形成的阴极电极部，以及保护所述阳极电极部、介质薄膜、固体电解质层及阴极电极部的绝缘保护层，还具有在所述绝缘保护层上形成的、至少与所述阳极电极部或阴极电极部连接的凸头。使用本发明的固体电解电容器，能制成高频响应性能优秀的半导体装置或电路。
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