半导体装置
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101467252B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200780021119.5

    申请日:2007-05-17

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,由下述部分构成:并列配置在同一平面上的一对半导体芯片(402、404);接合在一个半导体芯片(402)的集电极侧的表面上的高压汇流条(21);通过焊丝(27)连接在另一个半导体芯片(404)的发射极侧的表面上的低压汇流条(23);通过焊丝(26)连接在一个半导体芯片(402)的发射极侧的表面上的第1金属配线板(24-1);接合在另一个半导体芯片(404)的集电极侧的表面上的第2金属配线板(24-2);连接在第1金属配线板(24-1)上的第3金属配线板(24-3);从第2金属配线板(24-2)的端部折回连结的第4金属配线板(24-4);具有分别从第3金属配线板(24-3)和第4金属配线板(24-4)的端部延伸的输出端子(405)的输出汇流条(24)。

    培养装置
    16.
    发明公开
    培养装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117136229A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202280025571.3

    申请日:2022-02-24

    Abstract: 培养装置(10)的培养槽(12)具有引导部(18)和气体供给口(20),所述引导部由接合该培养槽的内壁面彼此而形成;所述气体供给口能够朝向铅垂方向的上方且向引导部的内侧供给气体。在引导部上设置有通过经由气体供给口供给气体,将培养槽内的培养液(L)从引导部的外侧吸入到内侧的吸入口(22)和从内侧排出到外侧的排出口(24)。排出口被配置于吸入口的上方,沿与铅垂方向交叉的一个方向排出培养液。

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